《太阳能电池用硅单晶》讨论稿.docVIP

 前 言 本标准的指标参照了国外有关标准，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和国内生产现状进行修订而成的。 与原标准相比，有如下变动： 本标准由全国半导体材料与设备标准化委员会材料分会 ； 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。 本标准主要起草人：孙燕 张果虎、楼春兰、蒋建国、刘培东、贺东江 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ---GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶 范围 本标准规定了太阳电池用硅单晶的产品分类、必要的相关性术语、技术要求、试验方法，检测规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的硅单晶。产品主要用于制作地面空间太阳电池。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰退法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法 非接触涡流法 GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 14140硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T 26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 术语 GB/T 14264 界定的术语及定义适用于本标准。 产品分类 分类: 硅单晶按导电类型分为p型，n型两种类型，按外形可分为圆形和准方形硅单晶棒。 牌号 硅单晶的牌号表示：按GB/T 14844规定。 规格 硅单晶按直径分为(150mm、和(200mm，准方形硅单晶棒尺寸为125mm×125mm和156mm×156mm、160mm×160mm。其他尺寸规格由供需双方协商解决。 技术要求 尺寸及其允许误差 圆形硅单晶的直径 圆形硅单晶可以分为滚圆和未滚圆两种，滚圆后的硅单晶直径和允许偏差应符合表1规定，未滚圆硅单晶直径及偏差由供需双方协商解决。 表硅单晶允许偏差 单位为毫米 标称直径 允许偏差 150 ±0.5 200 ±0.5 尺寸图表。 图1太阳能电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸 表2 太阳电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸 标称尺寸mm 尺寸mm Aa Ba Ca Da 最大 最小. 最大 最小 最大 最小 最大 最小 125×125 125.5 124.5 150.5 149.5 84.6 81.2 22.1 20.0 156×156 156.5 155.5 200.5 199.5 126.6 123.8 16.4 14.5 160×160 160.5 159.5 210.5 209.5 136.52 135.52 12.49 11.49 a 字母在图中标出 电性参数 太阳能电池用硅电阻率范围和径向电阻率变化应符合表的规定。表 太阳能硅单晶的电学性能参数 导电类型 电阻率范围 Ω.cm 径向电阻率变化/% 少数载流子 寿命/μs 100 0.5～6 15 ≥10 N 100 0.5～20 ≥60 注：需方对电阻率范围和径向电阻率变化要求由供需双方。 3°。 准方硅单晶表面晶向偏离度不大于2°；边缘晶向为100±2o； 方形相邻两边的垂直度为90°±0.3°。 5.3氧含量 直拉硅单晶的间隙氧含量应大于1.3×1018atoms/cm3。 5.4碳含量 直拉硅单晶的碳含量应不大于1×1017atoms/cm3。 5.5晶体完整性 硅单晶的位错密度应不大于3000个/cm2。 试验方法 硅单晶导电类型测量按GB/T 1550进行 硅单晶的电阻率测量按GB/T 1551或GD/T 6616进行。 硅单晶