第4章 常用半导体器件原理2013.pptVIP

其上、下门限分别为： UoH =UZ+UD UoL =-(UZ+UD) 【例3】输出电压的限幅电路 可见，只要调节电位器动臂的位置，使充、放电时常数不等，则占空比可调。但振荡周期（频率）保持不变。 【例4】占空比D可调的方波振荡器 显然，上述电路由于T1=T2，T=2T1， 所以 D=0.5 如果要求占空比可调: D定义为高电平时间T1与周期T的比值， 即 如动臂向上移动时： T1T2，D0.5 【例5】锯齿波产生器（三角波转换为锯齿波） 作业 4－8(c,d,e)， 4-10， 4-13, 补充 ：其它二极管简介 一、变容二极管 如前所述，PN结加反向电压时，结上呈现势垒电容，该电容随反向电压增大而减小。利用这一特性制作的二极管，称为变容二极管。它的电路符号如图所示。它的主要参数有：变容指数、结电容的压控范围及允许的最大反向电压等。 二、肖特基二极管 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示。 N 型 半导体 ( a ) 金属 ( b ) + + + + + + + + + + + + 三、 光电二极管 光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。图示出了光电二极管的电路符号，其中，受光照区的电极为前级，不受光照区的电极为后级。 前级 后级 四、发光二极管 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成，其电路符号如图所示。当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。 u / V 0 i / mA 10 20 30 － 5 － 10 － 0. 5 0.5 - + i u 在分析二极管电路时，必须首先判断管子是正偏导通还是反偏截止。然后用相应模型等效来分析电路。 稳压二极管利用的PN结的反向击穿特性。 内容小结 二极管大信号电路模型　　 UD(on) =(0.5~0.6)V 硅管 UD(on) =(0.1~0.2)V 锗管 二极管的伏安特性 u / V 0 i / mA 10 20 30 － 5 － 10 UD(on) Ui0时，V1导通，V2截止，U0=-R/R*Ui=-Ui Ui0时，V1截止，V2导通，U01=-Ui,U0=-2U01-Ui=Ui * 2. 交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即 rD的几何意义如图，即二极 管伏安特性曲线上Q (IDQ，UDQ)点 处切线斜率的倒数。 rD可以通过对二极管电流方程求导得出，即 0 U D u I D i Q 1 Q 2 I D 可见，rD与工作电流IDQ成反比，并与温度有关。室温(T=300K) 条件下: 通过对二极管交、直流电阻的分析可知，由于二极管的非线性伏安特性，所以交、直流电阻均是非线性电阻，即特性曲线上不同点处的交、直流电阻不同，同一点处交流和直流电阻也不相同。 3.最大整流电流IF IF指二极管允许通过的最大正向平均电流。实际应用 时，流过二极管的平均电流不能超过此值。 4. 最大反向工作电压URM URM指二极管工作时所允许加的最大反向电压。通常取 UBR的一半作为URM 。 5.反向电流IR IR越小，单向导电性能越好。IR与温度密切相关，使用 时应注意IR的温度条件。 6.最高工作频率fM fM是与结电容有关的参数。工作频率超过fM时，二极 管的单向导电性能变坏。 二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，即正偏时呈现低阻，反偏时呈现高阻。而正偏导通后所表现的非线性往往是次要的。 4.3.3　二极管的简化电路模型 u / V 0 i / mA 10 20 30 － 5 － 10 － 1 0.5 　　在工程分析中，器件的模型力求简单、实用，能突出电路的主要功能及特性。　　 ①.A1BC近似，其模型为图(a)。其中管压降UD取0.7V(硅管)或 0.3V(锗管)，导通电阻rD一般为几十欧姆。 (a) ②.A2BC近