TP(电容式)镀膜技术要求.docVIP

触摸屏镀膜线成套设备技术规格 指标项 技术规格要求 1 2 工件尺寸 370mm*470mm；400mm*500mm 厚度0.33mm—1.1mm 3 生产能力 每月满足TP sensor产品5万片的生产能力 4 极限真空 1.33*10-4Pa 5 温度 350℃（基板表面温度） 6 温度均匀性 ±5℃ 装片小车范围内所有基板 7 膜层 SiO2；ITO；MOALMO等 8 靶位配置 2MF +6DC 9 功率密度 视用户膜层品质可调整 10 膜厚及均匀性 SiO2:10～100nm ≤±7% ITO：20～200nm ≤±5% MO:20～250nm ≤±5% AL:50～250nm ≤±5% 11 靶材利用率 ITO靶材、金属靶材≥40% 12 ITO方块电阻 膜厚200nm时，基板内：＜10Ω/□ 13 ITO透过率 当λ=550nm，ITO：200nm时 基板内：≥93%，以基板为参考 14 ITO附着性 在光玻璃上成膜后，用3M胶带快速拉扯300次； 附着性测试后的膜厚，电阻率，透过率变化＜5% 15 溅射稳定性 异常放电出现机率小于1% 16 成膜绕射 不能绕射到基板背面 17 颗粒 基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况： 装载位置→腔内→卸载位置. ：＜1 对于颗粒尺寸 D＞20μm ：