电子科技大学,计算机组成原理4存储器-2半导体M.pptVIP

* 第二节 半导体存储原理及芯片 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 P-MOS N-MOS CMOS(PN两者互补组成) 功耗小、 容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS （静态MOS除外） TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑（Transistor-Transistor Logic), CMOS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Complementary symmetry metal oxide semiconductor） 输出 L： 0.8V ； H：2.4V。 输入 L： 1.2V ； H：2.0V 输出 L： 0.1*Vcc ； H：0.9*Vcc。 输入 L： 0.3*Vcc ； H：0.7*Vcc. 补充知识 ECL射极耦合逻辑（Emitter Couple Logic） MOS金属氧化物半导体(场效应管) 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 4.2.1 双极型存储单元与芯片 读放 VCC W W Z B A D1 D2 V1 V2 二极管集电极耦合式双极型单元 V1导通, V2截止: 信息为0 V1截止, V2导通: 信息为1 （1）写入“0”、“1” （2）信号保持 （3）读出“0”、“1” TTL型存储芯片举例 SN74189 16×4 VCC A1 A0 A2 A3 DI4 DO4 DI3 DO3 GND DI2 DO2 DI1 DO1 S w SN74189芯片引脚图 S VCC : 电源 A0~3: 地址 DI1~4：数据输入 DO1~4：数据输出 GND：接地线 :片选信号 W :读\写信号 列译码 A1 A0 A3 A2 y0 y1 y2 y3 行 译 码 x0 x1 x2 x3 DI4 DO4 DI3 DO3 DI2 DO2 DI1 DO1 SN74189芯片内部四个位平面的行列译码结构示意 一个位平面内部的行列译码结构示意 I/O I/O I/O I/O x0 x1 x2 x3 y3 y2 y1 y0 W0 W0 W1 W1 W2 W2 W3 W3 DI DO 4.2.2 静态MOS存储单元与芯片 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W N沟道-MOS六管(场效应管)静态存储单元 1.六管单元 （1）组成 T1、T3：MOS反相器 Vcc 触发器 T3 T1 T4 T2 T2、T4：MOS反相器 T5 T6 T5、T6：控制门管 Z Z：字线，选择存储单元 位线，完成读/写操作 W W W、 W： （2）定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 （3）工作 T5、T6 Z：加高电平， 高、低电平，写1/0。 （4）保持 只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W 导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加 读出：根据W、W上有无 电流，读1/0。 Z：加低电平， T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。 地址端： 2114（1K×4） 1 9 10 18 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE A9～A0（入） 数据端： D3～D0（双向入/出） 控制端： 片选CS = 0 选中芯片 = 1 未选中芯片 写使能WE = 0 写 = 1 读 电源、地:VCC、GND 2.存储芯片 [例]SRAM芯片Intel 2114（1K×4位） 外特性 4.2.3 动态MOS存储单元与芯片 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 动态MOS四管存储单元 1.四管单元 T1、T2：记忆管 C1、C2：柵极电容 T3、T4：控制门管 Z：字线 位线 W、 W： （2）定义 0：T1导通，T2截止 1：T1截止，T2导通 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 （C1有电荷，C2无电荷） （C1无电荷，C2有电荷） （3）工作 Z：加高电平， T3、T4导通，选中该单元。 （4）保持 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 写入：在W、W上分别加 高、低电平，写1/0。 读出：W、W先预充电至 再根据W、W上有无电流， 高电平，断开充电回路， 读出0/1。 Z：加低电平， T3