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第5章 汇编语言程序设计简介 第6章 单片机并行存储器扩展 * 第6章 单片机并行存储器扩展 6.1 80C51单片机的并行扩展总线 6.2 存储器分类 6.3 并行扩展系统的芯片选取 6.4 存储器并行扩展 6.5 80C51单片机存储器系统的特点和 区分方法 * 6.1 80C51单片机的并行扩展总线 第5章 汇编语言程序设计简介 第6章 单片机并行存储器扩展 6.1.1 单片机并行扩展总线 图6.1 单片机并行扩展系统结构图 图6.2 80C51单片机并行扩展总线结构图 地址总线—— AB，P0口提供（A7 ~ A0）； P2口提供（A15 ~ A8），共16位。 数据总线—— DB，P0口提供（D7 ~ D0），共8位。 控制总线—— CB，ALE 、/EA 、/PSEN 、/RD 、/WR 等。 6.2 存储器分类 * * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 　半导体存储器的分类 半导体 存储器 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM，IRAM） 非易失RAM（NVRAM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 型 号 性 能 6116 6264 62256 容量/ bit 2KB×8 8KB×8 32KB×8 读写时间/ns 200 200 200 工作电压/V 5 5 5 静态RAM的参数 * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 掩膜式只读存储器(ROM) 掩膜式ROM的内容是由生产厂家按用户要求在芯片的生产过程中写入的，写入后不能修改。ROM采用二次光刻掩膜工艺制成，首先要制作一个掩膜板，然后通过掩膜板曝光，在硅片上刻出图形。制作掩膜板工艺较复杂，生产周期长，因此生产第一片ROM的费用很大，而复制同样的ROM就很便宜了，所以适合于大批量生产，不适用于科学研究。ROM有双极型、MOS型等几种电路形式。 * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 　可编程PROM在封装出厂前，存储单元中的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”）左图是PROM的一种存储单元,它由三极管和熔丝组成,在存储矩阵的所有存储单元都是这种结构。出厂前，所有存储单元的熔丝都是通的，存储内容全为“1”。用户在使用前进行一次性编程，例如，若想使某单元的存储内容为“0”，只需选中该单元后，再在VCC端加上电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只能编程一次，使用起来很不方便。可改写ROM（EPROM）则克服了这一缺点。 可编程只读存储器PROM 根据写入原理PROM可分为两类：结破坏型和熔丝型。 * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 EPROM（可擦除可编程只读存储器） * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 型 号 性 能 2716 2732 2764 27128 27256 容量/bit 2KB×8 4KB×8 8KB×8 16KB×8 32KB×8 读写时间/ns 350 250 250 250 250 常用程序存储器EPROM扩展芯片 常用的EPROM2716、2732、…27512，即标号为27××××的芯片都是EPROM。 * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 E2PROM（电擦除可编程只读存储器） 用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成） 有字节擦写、块擦写和整片擦写方法 28××××系列的芯片都是E2PROM。 又可写为EEPROM,能在应用系统中进行在线改写，并能在断电的情况下保存数据而不需保护电源。 * 第6章 单片机并行存储器扩展 */30 闪烁存储器（Flash Memory） 特点 1、使内部存储信息在不加电的情况下保持10年左右； 2、可以用比较快的速度将信息擦除以后重写，反复擦写达几十万次，可以实现分块擦除和重写，也可以按字节擦除与重写。还具有非易失性，可靠性能好