- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第二讲专用集成电路.ppt
二、专用集成电路及形态 需求主导: 新电路的设计与实现 对已有电路或系统的集成改造 体积缩小 重量减轻 功能增加 性能提高 成本降低 保密性增强 ASIC的发展以及IP核的复用技术,促成了 SoC (System on a Chip) 的问世 SiP (System in a package) 概念的提出 * 浙大微电子 */46 目录 一、通用集成电路及产品形态 二、专用集成电路及形态 三、ASIC设计流程与工具 四、ASIC设计关键参数 五、ASIC开发成本 * 浙大微电子 */46 三、ASIC设计流程与工具 特殊器件的设计流程 (Device 工艺) 模拟电路设计流程 (Analog 工艺) 数字电路设计流程(Logic 工艺) 数/模混合电路设计流程 (Mixed-signal 工艺) * 浙大微电子 */46 1. 特殊器件的设计流程 * 浙大微电子 */46 常用的TCAD软件工具 所属公司 工艺仿真 器件仿真 特点 Synopsys Tsuprem4 Medici 国内业界广泛使用 ISE(瑞士) 被Synopsys 公司收购 DIOS MDRAW,器件绘制 DESSIS,器件仿真 国外业界广泛使用 SILVACO Athena Atlas 图形界面 操作简单易学 Sentaurus Synopsys Process Structure Editor Device 最新TCAD软件 * 浙大微电子 */46 * 浙大微电子 */46 2.模拟IC设计流程 模拟集成电路设计常用工具 公司 电路图绘制及仿真 版图绘制 版图验证 及参数提取 Cadence Spectre Virtuoso Diva Dracula Synopsys Hspice Mentor Graphics Calibre Spring Soft Laker * 浙大微电子 */46 * 浙大微电子 */46 3.数字IC设计流程 前端设计 * 浙大微电子 */46 后端设计 数字集成电路设计常用工具 公司 逻辑仿真 逻辑综合 布局布线 时序 验证 可测性 设计 Cadence NC-Sim SE Encounter Pearl Synopsys VCS Design- compiler Astro DFT-Compiler TetraMAX Mentor Graphics Modelsim Spring Soft Laker * 浙大微电子 */46 目录 一、通用集成电路及产品分类 二、专用集成电路及形态 三、ASIC设计流程与工具 四、ASIC设计中的关键参数 五、ASIC开发成本 * 浙大微电子 */46 四、ASIC设计关键参数 规模(元件数/芯片)– 4000万晶体管/Die, 1000门/Die 芯片面积(mm2) – 1-100mm2 硅片直径(mm) –20mm ( 8英寸)/wafer 特征线宽(μm) – 0.18μm, 65nm /CD 工作电压(V) – 3.3V,1.8V, 1.2V, 0.8V,0.5V 功耗(mW)– 16mW, 1.3mW, 6.5mW 速度(MHz) – 高速电路(数字), 时钟800 MHz 频率(GHz) – 射频电路(模拟), 2.4 GHz, 6GHz 综合性能指标FOM -- 1pJ/单位量化电平 温度特性(PPM)-- 民品、工业品、军品温度范围 管脚数(只)-- 牵涉到芯片面积、封装类型及成本 * 浙大微电子 */46 目录 一、通用集成电路及产品形态 二、专用集成电路及产品形态 三、ASIC设计流程与工具 四、ASIC设计关键参数 五、ASIC开发成本 * 浙大微电子 */46 五、ASIC开发成本 * 浙大微电子 */46 每个芯片(chip)的成本可用下式估算: 总成本 = 设计成本 + 光罩(掩膜)成本 + 制造成本 (暂不考虑封装测试成本) 其中Ct为芯片开发总成本 Cd 为设计成本, Cm 为光罩成本 Cp 为每片wafer的加工成本 V 为总产量 y 为成品率 n 为每一大园片上的芯片数 (die / wafer) 降低成本的方法 增大V, V=w×n×y (w为wafer数) 当产量V做得很大时, 上式前二项可以忽略, 成本主要由制造成本决定。 增大y: 缩小芯片面积,因为当硅片的材料质量一定时, 其上的晶格缺陷数也基本上是确定的。一个芯片上如果有一个缺陷, 那芯片功能就难以保证。芯片做得越小, 缺陷落
您可能关注的文档
最近下载
- 上海凯泉选型样本-第五代数字集成变频供水设备.pdf
- 2025年山西林业职业技术学院单招职业倾向性测试题库(实用).docx VIP
- 党员一对一谈心谈话记录.docx VIP
- 安徽省合肥市2023-2024学年六年级上学期语文期末试卷(含答案)2.pdf VIP
- 员工个人年终总结7篇.docx VIP
- 场景搭配培训课件.pptx VIP
- 《特种设备安全法》解读及特种设备监督管理.pptx VIP
- CMW500操作快速入门:Bluetooth信令测试.pdf VIP
- 蓝色绿色商务科技风特种设备安全技术培训安全培训培训特种设备特种设备知识培训.pptx VIP
- 佛马特fermator门机VVVF-4+门机调试说明书.pdf
原创力文档


文档评论(0)