《基于纳米氧化铜修饰的异戊巴比妥的新型电化学传感器的制备与应用》.pptx

基于纳米氧化铜修饰的异戊巴比妥的新型电化学传感器的制备与应用;摘要 在纳米氧化铜修饰的玻碳电极表面电聚合一种能够快速检测尿液中异戊巴比妥(AMB)的分子印迹敏感膜, 研究了该敏感膜的最佳成膜条件及最佳工作条件. 通过扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)研究了印迹膜的表面形貌及性能. 电化学实验结果表明, 纳米氧化铜能提高传感器对AMB 的灵敏度. 在最佳实验条件下, 铁氰化钾分子探针的差分脉冲伏安(DPV)峰电流响应值与AMB 的浓度在1.0×10???1.4×10ˉ?mol/ L 范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R = 0.9966); 检出限为2.1×10ˉ?mol/ L(S/ N=3). 此印迹传感器可用于尿液中AMB 的检测, 加标回收率为94.00%~104.67%. 关键词 纳米氧化铜; 异戊巴比妥; 马来松香丙烯酸乙二醇酯; 电化学传感器 中图分类号 O657; O613 文献标志码 A; 异戊巴比妥(AMB)是一种最早使用的抗精神病药物, 因对中枢神经系统有抑制作用, 所以被用于治疗失眠等病症[1] . 随着失眠、神经焦虑等病症患者的增多, AMB 的应用也越来越广泛; 但是久用或大剂量用药会导致耐药性和成瘾性, 浪费药物并危害患者身体; 因此检测微量AMB 用以辅助患者治疗尤为重要. 目前检测AMB 的方法如液相色谱法[2] 、液‐液萃取法[3] 及高效液相色谱‐质谱串联法[4] 等具有较高的灵敏度和选择性, 但存在检测耗时长、仪器设备昂贵及需要专人操作等缺陷.;1 实验部分 1. 1 仪器与试剂 CHI660D 型电化学工作站(上海辰华仪器有限公司); 三电极体系: 裸玻碳电极或修饰电极(GCE,? =3 mm)为工作电极, Ag/ AgCl 电极为参比电极, 铂丝电极为辅助电极; Supra 55 Sapphire 场发射扫描电子显微镜(德国Zeiss 公司); PHS‐3C 型pH 计(上海雷磁公司). 异戊巴比妥(AMB, 纯度99.0%, 郑州安誉科技有限公司); 纳米氧化铜(纯度99.5%, 阿拉丁试剂公司); 甲基丙烯酸(MAA, 成都市科龙化工试剂厂); 马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为本实验室自制[14] ; 四丁基高氯酸铵(TBAP, 国药集团); 其它试剂均为分析纯; 实验用水为二次蒸馏水.;1. 2 实验过程 1. 2. 1 电极预处理 将玻碳电极依次用0.3 和0.05 μm 的Al?O?粉末抛光成镜面, 然后依次用二次蒸馏水、1 :1(体积比)稀硝酸、乙醇和二次蒸馏水超声清洗5 min. 将处理后的电极放入0.5 mol/ L 的H?SO?中, 在-0.2 ~ +1.5 V 电位范围内, 以50 mV/ s 的速率进行CV 扫描, 直至获得稳定的CV 曲线.将0.0100 g 纳米氧化铜加入到10.00 mL 的DMF 中, 震荡1 h 后, 取5 μ L 均匀地涂抹在裸玻碳电极表面, 置于红外灯下, 挥发干溶剂后即得纳米氧化铜修饰电极.;1. 2. 2 聚合物修饰电极的制备 将0.1132 g 的AMB(模板分子)与0.1722 g 的MAA(功能单体)溶于乙腈溶液中, 静置6 h 使模板分子与功能单体自组装形成氢键加合物, 再加入0.3419 g 的TBAP(支持电解质)和2.0490 g 的EGMRA(交联剂)溶解, 配制成10.0 mL 的聚合液. 将纳米氧化铜修饰电极插入聚合液中, 在+0.4 ~ +1.0 V 电位范围内, 以50 mV/ s 的速率循环伏安扫描20 圈, 再将制作好的电极用V(乙酸) :V(水)= 3 :1的洗脱液洗脱9 min, 即得印迹电极(记为MIP/ CuO/ GCE). 非印迹电极的制作除不加AMB 外, 其余操作均与印迹电极的制作过程相同, 所得电极记为NIP/ CuO/ GCE. 为了研究纳米氧化铜的作用, 直接在裸玻碳电极表面进行电聚合, 得到的电极记为MIP/ GCE.;1. 2. 3 电化学检测 采用标准三电极体系, 在5.0 mmol/ L K? [Fe(CN)?]+0.1 mol/ L PBS 的溶液中进行CV 和DPV 实验; 在5 mmol/ L 的K? [Fe(CN)?]‐ K?[Fe(CN)? ](分子比为1 :1)并含0.1 mol/ L 的KCl 溶液中进行EIS 实验[15 ~17] . 1. 2. 4 样品的预处理 取10.0 mL 精神病用药患者的尿液离心(4000 r/ min, 20 min), 取上清液用0.45 μm 的滤膜过滤; 滤液用0.1 mol/ L P