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此界面用于手动设置热场温升速率，在自动工艺中都可以设置这个温升速率，对程序产生的温升速率进行累加干预。 温升速率为正时进行升温，为负时进行降温。 此界面用来稳定熔液面温度，在稳定化、熔接时作用。 程序通过调节热场温度达到液面温度的控制。 16、热场温升、液面温度控制界面 七、常用操作介绍 注：自动隔离程序时程序自动进行计算不需要手动修改投料量。 此界面用于晶体生长过程补温控制。按下RAMP按钮时，设定生长速度依照工艺文件中等径斜率表计算，此时框底色为灰色，人工不可修改；按下FIXED按钮时，设定生长速度框底色为黄色，可以人工设定。修改后再按下RAMP按钮时，设定生长速度与斜率表一直保持修改时的偏差。 此界面用来进行坩埚跟踪控制，以稳定拉晶熔液面的位置。按下RAMP按钮时CL/SL值依照工艺文件中CL/SL表计算，此时框底色为灰色人工不可修改；按下FIXED按钮时，CL/SL值框底色为黄色，可以人工设定。修改后再按下RAMP按钮时CL/SL值与CL/SL表一直保持修改时的偏差。当手动隔离后，程序无法自动计算坩埚内剩余重量，需要手动修改投料量进行修改。 17、生长控制、坩埚跟踪控制界面 七、常用操作介绍 此界面通过调节节流阀开度来控制炉内压力。 如炉体不配置智能蝶阀将无法自动控制压力。 18、压力控制界面 七、常用操作介绍 * 晶体设备教程 □设备机械部分简介 □炉体结构 □热系统 □液压系统与抽真空系统 □水冷系统与氩气系统 □控制柜 □常用操作介绍 * 直拉单晶炉的结构 直拉单晶炉 机械部分 电气部分 水冷系统 氩气系统 真空系统 炉体 热系统 液压系统 速度控制单元 加热控制单元 加热温度控制器及三相全桥功率部件 等径生长控制器 水温巡检及状态报警 继电控制单元 1 2 3 4 5 6 7 8 10 9 11 12 13 序号 名称 1 炉 体 晶体提升旋转机构 2 上炉室 3 隔离阀室 4 观察窗 5 炉盖 6 下炉室 7 坩埚提升旋转机构 8 基座 9 液压控制系统 10 控制柜 11 抽真空系统 主真空泵 12 过滤罐 13 辅真空泵 一、设备机械部分简介 晶体提升旋转机构：主要以提拉和旋转晶体，在籽晶提升机构里采用钢索卷筒提升钢丝绳。整个提升装置在一根中空的轴上旋转，该机构在整个运行范围内可实现无振动平稳的运行。并且是高精度的密封。籽晶旋转采用可承受高转矩的多碶带驱动，从而消除了齿形带传动的震颤。 二、炉体结构 1、晶体提升旋转机构 1.上炉室 3.隔离阀室 5.下炉室 4.炉盖 2.观察窗 炉室：分为上炉室、隔离阀室、观察窗、炉盖、下炉室； 主要作用：晶体生长与冷却的地方。 二、炉体结构 2、炉室 * 坩埚提升机构：它的垂直方向采用了滚珠直线导轨和高精度丝杆，在高负载甚至电机断电的情况下实现自锁。坩埚提升采用同步带传动。坩埚旋转采用可承受高转矩的多碶带驱动，从而消除了齿形带传动的震颤。旋转密封采用可承受轴向力磁流体密封，垂直密封采用不锈钢波纹管。坩埚提升机构中直线导轨座和底板成90°固定，两者间采用筋板支撑，从而提高整体的刚度，避免由侧向力矩引起的直线导轨和丝杆的变形。 二、炉体结构 3、坩埚提升旋转机构 * 基座:调整水平和防震设施为晶体提供良好的生长环境。 二、炉体结构 4、基座 炉盖 主炉筒 炉底 上保温盖 下保温盖 导流筒 石英坩埚 三瓣埚 托盘 托杆 加热器 上保温筒 上保温碳毡 下保温筒 下保温碳毡 电极柱 炉底碳毡 炉底压盘 三、热系统 * 液压控制系统（下炉室） 液压控制系统（上炉室、炉盖） 液压控制系统:炉室打开与复位 四、液压系统与抽真空系统 1、液压控制系统 7 6 5 4 1 3 2 序号 名称 1 主泵电机 2 传动系统 3 电磁阀 4 主泵侧门 5 油阀 6 油槽 7 减震垫 四、液压系统与抽真空系统 2、抽真空系统 * 系统主要分两部分：主炉室真空系统和副炉室真空系统。 1)主炉室真空系统主要包括主真空泵、电磁截流阀、过滤罐、安全阀、 真空计、真空管道及控制系统等。其中过滤罐对排气中的粉尘起到过滤 作用，以便保护真空泵，过滤罐内的过滤网每次拆清炉都要清理，使排 气畅通，否则影响成晶，另外要定期更换泵油。 2)副炉室真空系统除了无过滤罐外，与主炉室真空系统相似。主要是在 拉晶过程中需要关闭主、副炉室之间的翻板阀取晶体或提渣时，必须用 副炉室真空系统来对副炉室进行抽真空。 3)拉晶过程中必要时应进行真空检漏。冷炉极限真空应达到10mtorr以 下，单晶炉泄露率应该低于3omtorr/10min。 四、液压系统与抽真空系统 五、水冷系统与氩气系统 1)水冷系统包括总进水管道、分水器、各路冷却水管道以及回水管道。由循环水系统来保证水循环正