第9章——静电场中的导体和电介质.ppt

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第9章——静电场中的导体和电介质

平行板电容器 同心球型电容器 同轴圆柱型电容器 三、电容器电容的计算 1.平行板电容器 已知:S、d、?0 设A、B分别带电+q、-q A B +q -q d A、B间场强分布 电势差 由定义 讨论 C与dS, ?0有关 S↑C ↑; d↓C ↑ 插入介质 2.球形电容器 已知RA,RB 设+q、-q RA RB A B +q -q 场强分布 r 电势差 由定义 讨论 孤立导体的电容 * ?§9.1 静电场中的导体 ?§9.2 静电场中的电介质 ?§9.3 电位移矢量 电介质中的高斯定理 ?§9.4 电容、电容器 ?§9.5 静电场的能量 ?§9.6 压电效应 铁电体 驻极体 第9章 静电场中的导体和电介质 导体和电介质都通过其电荷和外电场的相互作用而改变电荷分布及运动状态,这种改变又对电场产生影响。 本章主要研究导体中的感应电荷和电介质中的极化电荷与电场相互作用的规律。 §9.1 静电场中的导体 一、导体的静电平衡 1.静电平衡的条件 感应电荷 当导体放入外电场中时,引起导体内部电荷的重新分布将产生感应电荷 当导体内部和表面上都没有电荷作定向运动时的状态,称为导体的静电平衡状态. 导体静电平衡的条件: (ii) ?导体表面 (i)导体内部 2.导体在静电平衡时的性质 (1) 导体是等势体,导体表面是等势面 p Q 导体内部 ∴ U内 =常数 导体表面 p Q ∴ U表 =常数 (2) 净电荷只分布在导体的外表面 实心导体 s ?=0 令S→ 0,则必有? 内 = 0。 静电场中的孤立带电体导体上电荷面密度的大小与该处表面的曲率有关。 一般说,在导体的向外突出部位的曲率越大,面密度σ也越大。 (3) 导体表面附近场强大小与该处电荷面密度?e成正比 在导体表面任取一面元△s, 面元上的电量 q= ? ·△s 又 △s面上?均匀, E1=常矢 注意: E是导体表面处的总电场 (所有电荷的贡献). 二、有导体存在时场强与电势的计算 电荷守恒定律 静电平衡条件 电荷分布 分析方法: U 例: 已知:导体板A,面积为S、带电量Q,在其旁边放入导体板B。求: (1) A、B上的电荷分布及空间的电场分布 (2) 将B板接地,求电荷与电场分布. 解:忽略边缘效应,设四个面上的电荷面密度分别为?1, ?2, ?3, ?4, 如图示. d S A B Q ?1 ?2 ?3 ?4 (1) 根据电荷守恒 A板 ?1S + ?2S = Q (1) B板 ?3 + ?4 = 0 (2) 取圆柱形高斯面,如图, 则由静电平衡条件: DS DS =0 得 ?2 + ?3 = 0 (3) 在金属板B内任取一点P,则由静电平衡条件: EP=0 d S A B Q ?1 ?2 ?3 ?4 P 四个带电平面在该点产生场强叠加 E1 ?E2 ? E3 ? E4= 0 得 ?1 ? ? 2 ? ? 3 ? ? 4= 0 (4) (2)+(4)得: ?1 =? 2 (3)+(4)得: ?1 =? 4 ?电荷分布 根据场强叠加原理可求得场强分布: d S A B Q ?1 ?2 ?3 ?4 P A板左侧 两板之间 B板右侧 Q0 (2) 将B板接地, 则 ? 4=0 A板电荷守恒 ?1S + ?2S = Q (1) 高斯定律及 静电平衡条件: ?2 + ?3 = 0 (2) B内任取一点P,EP=0 得 ?1 ? ? 2 ? ? 3 = 0 (3) ?电荷分布 S A B Q ?2 ?3 P Q0 场强分布 两板之间 两板之外 E=0 例: 金属球A半径为R1,电量+q. 金属球壳B内外半径分别为R2和R3,电量+Q,与A球同心.试求 (1) 电荷的分布及空间场强和电势的分布. (2) 如果用导线将球和球壳连接,结果将如何? 解: (1) 电荷分布 +q, -q, Q+q R1 R2 R3 A B +q -q Q+q 由高斯定理得 场强分布 球心的电势 (2) 导线连接A、B R1 R2 R3 A B +q -q Q+q 电荷只分布在B的外表面 Q+q rR3 rR3 问题: 1.在两板间插入一中性金属平板,求板面的电荷密度。 2.如果第三板接地,又如何? 3.剪掉第三板接地线,再令第一板接地,又如何? 三、静电的应用 闪电击中曼哈顿帝

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