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—————————————丝塑L
Abstract
Tin
an
dioxide(Sn02)is
n—typesemiconductorwithawideband toits
gap．Due
nlgfl and
conductivity in
good the
transparencyvisible
spec咖m，whichhasbeen
used
wldeJYfor
transparent
conducting sensorands01ar
electrodes，gas cells．In
recent and
years，moremore
researchers
have to its
began new
study photoelectric
1s
propenies，it usedasafunctional
extensively materialfor
optoelectronicdevices．
E
ESpeciallydoping3+，thetransitionof is
1．549m it
veryimportant，since
tothe
correspondsminimumfiber
quartz absorption ofa
wavelength，being
very
useful
materialin
opticalcommunication．
thin
Er-dopedSn02films
were
depositedultrasonic
by atomization
method．nle
IntluenceofEr concentrations
doping and
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