光电子材料与器件第一章资料.ppt

MSE 120 - 1999 第一章 硅和锗的化学制备 2、硅烷的提纯： 硅烷的提纯方法(1)低温精馏；(2)吸附法。 (1)低温精馏：由于沸点很低必须有深冷设备，费用很高 (2)吸附法 1) 先用分子筛除去较多量的NH3、H2O及一部分的PH3等 半导体材料 1-1 硅和锗的化学制备 硅和锗是元素周期表中IV族元素。 硅物理性质 有金属光泽的晶体，熔沸点高，硬度大。 硅物理性质 晶体和无定形两种同素异形体。晶体硅呈银灰色，有明显的金属光泽、晶格和金刚石相同，硬而脆，能导电，但导电率不如金属且随温度的升高而增加，属半导体。密度2.33g/cm3，熔点1410℃，沸点2355℃，硬度7。低温时单质硅不活泼，不跟空气、水和酸反应。室温下表面被氧化形成1000 pm二氧化硅保护膜。高温时能跟所有卤素反应，生成四卤化硅，跟氧气在700℃以上时燃烧生成二氧化硅。跟氯化氢气在500℃时反应，生成三氯化硅（SiHCl3）和氢气。高温下能跟某些金属(镁、钙、铁、铂等)反应，生成硅化物。 晶体、非金体和多晶 固体分为非晶体与和晶体两大类。 晶体的外形呈现天然的有规则的多面体，具有明显的棱角与平面，其内部的原子是按一定的规律整齐排列起来的，所以破裂时也按照一定的平面断开。 非晶体物质的内部原子排列没有一定的规律，当断裂时断口也是随机的，如塑料和玻璃等。 多晶体是由多个杂乱无章的小晶体组成。 单晶体与多晶 硅结构 单晶硅 锗物理性质 粉末状锗呈暗蓝色，结晶状锗为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899 eV。是一种稀有金属，重要的半导体材料。 锗物理性质 锗在电子工业中的用途，已逐渐被硅代替。但由于锗的电子和空穴迁移率较硅高,在高速开关电路方面,锗比硅的性能好。锗在红外器件、γ辐射探测器方面，有新的用途。金属锗能通过 2～15微米的红外线，又和玻璃一样易被抛光，能有效地抵制大气的腐蚀，可用以制造红外窗口、三棱镜和红外光学透镜材料。锗酸铋用于闪烁体辐射探测器。锗还同铌形成化合物，用作超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂。用二氧化锗制造的玻璃有较高的折射率和色散性能，可用于广角照相机和显微镜镜头；GeO2－TiO2－P2O5类型的玻璃有良好的红外性能，在空间技术上，可用来保护超灵敏的红外探测器。 硅与锗化学性质 Si + O2 = SiO2　 Si + 2F2 = SiF4 Si + 4HF = SiF4↑ + 2 H2↑ Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 +2H2↑ 温室下硅与锗的化学性质比较稳定与空气、水和酸均无反应。但可与强酸、强碱作用。在高温下它们的化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳等物质作用、生成相应的化合物。 硅与锗化学性质 自然界中硅主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在，二氧化硅有结晶SiO2和无定形SiO2两种形式。结晶SiO2的晶体结构分为石英、鳞石英和方石英三种。 1-2 高纯硅的制备 硅地壳中含量为27 %，其主要来源是石英砂和硅酸盐。 粗硅（工业硅）的制备 SiO2 + 3C = SiC + 2CO (1600 ~ 1800 oC) 2SiC + SiO2 = 3Si +2CO SiO2 ? SiC ?Si ( 97% ) 1-2-1 三氯氢硅还原法 三氯氢硅（SiHCl3）还原法室温下为无色透明、油状的液体，易挥发和水解，在空气中剧烈发烟。由于SiHCl3中含有Si – H键，所以它活泼易分解。它的沸点低。容易制备、提纯和还原。 1-2-1 三氯氢硅还原法 1、三氯氢硅（SiHCl3）的制备 Si + 3 HCl ? SiHCl3 + H2 + Q (280 ~ 300 oC) 副反应 SiHCl3 + HCl ? SiCl4 + H2 2SiHCl3 ? Si + SiCl4 + 2HCl 4SiHCl3 ? Si + 3SiCl4 + 2H2 Si + 2HCl ? SiH2Cl2 由于反应过程中有副反应的产生，所以制备过程中应尽量减小副产物的产生。 主要方法： （1）反应温度280 oC ~ 300 oC； （2）加入H2，与HCl的比为H2：HCl = 1:3~5； （3）充分干燥Si 粉和HCl， Si 粉粒度 0.18~0.12 mm； （4）加入Cu、Ag、Mg合金作为催化剂。 1-2-2 三氯氢硅的提纯 1、三氯氢硅（SiHCl3）的制备 Si + 3 HCl ? SiHCl3 + H2 + Q (280 ~ 300 oC