第五章富勒烯与碳纳米管3.ppt

电磁性能 碳纳米管具有良好的导电性能，由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同，所以具有很好的电学性能。 理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角，表现出导体和半导体性能； 完美碳纳米管比缺陷碳纳米管的电阻小一个数量级； 径向电阻大于轴向电阻； 碳纳米管束和单根纳米管都显示超导性，后者显示温度更低。 热学性能 碳纳米管具有良好的传热性能，CNTs具有非常大的长径比，因而其沿着长度方向的热交换性能很高。 碳纳米管有着较高的热导率，只要在复合材料中掺杂微量的碳纳米管，该复合材料的热导率将会可能得到很大的改善。 光学性能 碳纳米管具有良好的场发射性能。 碳纳米管薄膜对太阳光有较强的吸收作用。 电弧放电法 电弧放电法制备的碳纳米管空间取向不定、易烧结，且杂质含量较高。 激光蒸发法 主要缺点在于单壁碳纳米管的纯度较低、易纠结。 化学气相沉积法 其生长主要过程包括过渡金属催化剂颗粒吸附和分解碳氢化合物，生成的碳原子扩散至催化剂内部形成金属-碳的固溶体，碳原子从过饱和的催化剂颗粒中析出，形成碳管结构。 CVD方法的优点在于能够批量生产，降低合成成本。而缺点在于容易形成有缺陷的碳管材料。 常用气体：C6H6, C2H2, C2H4等 常用温度范围：500-1000 ?C 常用催化剂： Fe, Co, Ni 等 碳纳米管的生长机制 自从1991年Iijima发现碳纳米管以来，理论上对于碳纳米管的形成提出了各种生长模型，如： 五元环-七元环缺陷沉积生长 层-层相互作用生长 (lip-lip interaction) 层流生长 (step flow) 端部生长 (tip growth) 底部生长 (base growth) 喷槊生长 (extrusion mode) 端部生长和喷槊生长 喷槊生长模式认为金属催化剂才是碳纳米管的持续生长点，碳原子不断沉积到催化剂颗粒上形成金属-碳合金，当碳原子达到饱和时由颗粒的一端析出形成碳纳米管。这两种机理的主要区别在于生长过程中先形成的一端距离催化剂的相对位置远近。 端部生长模式假定催化剂颗粒在碳纳米管的生长过程中起到促进成核的作用。一旦碳纳米管初步形成并将催化剂包覆起来以后，生长点即转为管的开口端，碳源不断沉积到开口的悬键上导致碳纳米管持续生长。温度降低时开口端封闭停止生长。 顶部生长和底部生长 底部生长模式：即金属催化剂颗粒附着在衬底上，碳纳米管的顶端封闭，且不含催化剂。碳源从碳纳米管与催化剂材料的接界处提供。 顶部生长模式：即位于碳纳米管顶端的金属催化剂颗粒随着碳纳米管的生长而移动，被携带移动的催化剂颗粒用来提供碳纳米管生长所必需的碳源。 严格说来，这两种模式不涉及到本质的机理不同，它们都属于喷槊生长。区别只是催化剂在生长过程中是停留在衬底上还是被顶在碳纳米管的尖端上。这种区别仅仅由催化剂与衬底的附着力强弱而定。 CVD生长机理实验验证 实验过程采用了两种同位素通气顺序，(1)先通12C乙烯15s，再通13C乙烯45s； (2)先通13C乙烯15s，再通12C乙烯45s。 CVD生长机理实验验证 13C标记的MWCNT阵列的微区拉曼谱 (a) 纯12C和纯13CMWCNT阵列的参考拉曼谱 (b)先通12C再通13C的乙烯生长的阵列极其微区拉曼谱 (c)先通13C再通12C的乙烯生长的阵列极其微区拉曼谱 MWCNT的生长机理示意图 图中黑色椭圆表示附着在多孔硅衬底（白点区域）的Fe催化剂颗粒，阴影部分表示13C同位素。四个瞬间表示出12C-13C 同位素结碳纳米管的生长过程。 Shape-selective transportation in nanopores Hinds BJ et al, Science, 303,62 Hinds BJ et al, JACS 2005, 127,9062 模板合成碳纳米管阵列 通常应用氧化铝膜与气相催化生长相结合的方法来生长有序碳纳米管及其阵列。即先用电化学沉积方法在模板的孔内引入金属 (如 Fe,Co,Ni等) 纳米颗粒催化剂，然后在Ar或是N2与碳氢气体混合气氛中，通过热解碳氢化合物制备碳纳米管的阵列。 氧化铝膜制备的有序碳纳米管阵列 (a) 原位生长；(b) 模板被部分腐蚀 碳纳米管的表面修饰 1、共价功能化 A：端口功能化 B：侧壁功能化 2、非共价功能化 C： 表面活化剂功能化 D： 聚合物功能化 E： 内腔功能化 常见碳管的修饰方式与方法： 构筑可见光光源 构筑纳米晶体管 Tans et al, Room-temperature transistor ba