02图像采集系统精编.ppt

CMOS 与CCD相同，通常采用光电二极管做为光电探测器 与CCD不同，电荷可以通过选择电路直接读出 CCD与CMOS的光电转换 CMOS和CCD最大的区别是： CMOS的电荷到电压转换过程是在每个像素上完成的。 CCD与CMOS的比较 从以上的对比可以看出： CCD在图像的质量上更有优势。而常见的高速相机则会采用CMOS芯片。 CCD CMOS 速度 慢 快 噪声 好 差 灵敏度 好 差 功耗 毫安级 微安级 成本 高 低 5.3 图像传感器的参数 （1）分辨率：1920*1080 （2）帧率：30fps （3）尺寸：1/3 （4）快门速度 （5）噪声 （6）光谱响应 6 相机-计算机接口 数字接口 1000Mb/S 480Mb/S 800Mb/S 7140Mb/S 高斯光学：厚透镜模型 焦距 - f, f’ 焦点 - F,F’ 主平面 - P,P’ 节点－ N,N’ 平行于光轴的入射光线，通过像方焦点F’ 通过物方焦点F的光线，平行于光轴出射 通过节点N的光线也通过节点N’ 出射光线与入射光线平行 厚透镜模型 放大倍数 高斯成像公式 实际镜头 简化模型：薄透镜成像 远心镜头 4.3 镜头的主要参数 (1)焦距与视场角（Angle of View) (2) 光圈F值 4.4 镜头的主要参数 (3)最小工作距离 (4)景深（Depth of Field） 景深与焦距的平方反比 景深与光圈大小成正比 景深与工作距离成正比 F值与景深 4.5 镜头像差（Lens Aberrations） 到目前为止，一直都在假设在高斯光学中，同心光束通过镜头后会汇聚于一点 在实际成像过程中，由于镜头相差的存在，并不满足这条假设，引起聚焦模糊和几何畸变 单色像差和色差两大类 单色像差 （1）球差 （2）慧差 单色像差 （3）像散 （4）场曲 单色像差 （5）畸变 色像差（Chromatic Aberration） 图像平面 镜头 物体 光 源 固体成像 CCD与CMOS 图像传感器的参数 5 图像传感器 5.1 图像传感器 把光能转化为电信号的光电探测器。 包括光电转换、电荷收集、信号转换与输出三个步骤 主流技术：CCD和CMOS（原理、性能和参数） 光电效应 光电效应 Photoelectric Effect 光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，光能量转换成电能 内光电效应和外光电效应 1905年，爱因斯坦提出光子假设，成功解释了光电效应，因此获得1921年诺贝尔物理奖。 光电器件 效应 相应探测器 外光电效应 光阴极发射光电子 光电管 光电子倍增 光电倍增管 像增强器 内光电效应 光电导 光敏电阻 光生伏打效应 光电池 光电二极管 光电成像 固体成像 固体：器件为固态器件,采用半导体工艺制成。（对比：真空成像器件采用真空玻璃壳中的靶进行图像转换） 成像：利用半导体材料的光电效应，实现光电转换，通过驱动电信号实现光学图像的转换、信息存贮及按顺序输出，形成电子图像。（对比：真空成像器件采用电子束扫描方式） 5.2 主流固体成像技术 CCD ( Charge Coupled Device ) 电荷藕合器件，CCD由许多感光单位（光电二极管）组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。 CMOS ( Complementary Metal-Oxide-Semiconductor ) 互补金属氧化物半导体，它集成在被称做金属氧化物的半导体材料上。 CCD的发明 1970年，Boyle(左)和Smith(右)在测试用最初状态的CCD元件组装的简易拍摄装置。 CCD芯片 面阵CCD 线阵CCD CCD原理 A 光电转换 B 电荷储存 C 电荷转移 D 转化为电压量 CCD原理 有一个光电转换装置把入射到每一个感光像素 上的光子转化为相应数量的电荷 CCD原理 2. 这些电荷可以被储存起来 CCD原理 3. 电荷可以被有秩序地转移出感光区域 CCD原理 早期的CCD是隔行扫描的，同一时刻，每两行小桶，只有一行被测量，这样可以提高快门速度，但图像精度大为降低。 所以一副图像必须经过两次曝光，现在的CCD一般都是逐行扫描的，这是采集运动物体的图像所必须的。 CCD原理 CCD光敏原件的显微照片 面阵CCD的类型 全帧转移类型CCD（Full frame transfer ) 帧转移类型CCD (Frame Transfer) 面阵CCD的类型 隔列转移类型C