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载流子的输运（二）：扩散 扩散运动 微观粒子（原子、电子等）均可以产生扩散运动： 由浓度不均匀引起 由于无规则热运动，可以引起粒子从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 扩散定律 稳态扩散方程 输运电流 连续性方程 稳态表面复合 对于均匀的材料，其浓度分布也是均匀的，因此无载流子的扩散运动 但是，当用适当波长的光均匀照射这块材料的一面时，假定在材料表面薄层内，光大部分被吸收 一维情况： 浓度梯度为 扩散定律 稳态扩散方程 输运电流 连续性方程 稳态表面复合 稳定扩散： 由表面因光照而注入的空穴，在向内部扩散的过程中不断因复合而消失 当光照恒定时，由于表面不断有注入，因此半导体内部各点的空穴浓度也不随时间改变，形成稳定分布 样品足够厚： 非平衡载流子尚未到达样品另一端，就已经几乎全部消失 扩散定律 稳态扩散方程 输运电流 连续性方程 稳态表面复合 漂移电流： 在外加电场的作用下，非平衡载流子也要做漂移运动，产生漂移电流 Einstein关系式： 描述了迁移率和扩散系数之间的关系 小结 Ex. 16：一块电阻率为 的n型Si样品，空穴寿命为 ，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度为 ，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于 ？ 扩散定律 稳态扩散方程 输运电流 连续性方程 稳态表面复合 连续性方程 由于扩散 单位时间通过单位面积的粒子数为 电流密度 单位时间通过单位体积的粒子数为 由于扩散和漂移，单位时间单位体积内积累的粒子数 空穴： 电子： 连续性方程： 单位体积内粒子数随时间的变化率=单位时间单位体积内积累的粒子数-单位时间单位体积内复合而消失的粒子数+其它外界原因引起单位时间单位体积的粒子数的变化 空穴： 电子： 稳态连续性方程 粒子数不随时间演化，即 1、扩散和牵引问题 方程的解: 外场很强，使 外场很弱，使 外场很强： 外场很弱： 2、寿命问题 无外场 无表面光照 无其它外界作用 3、均匀产生问题 无外场 无表面光照 稳定光照，体内均匀产生非平衡载流子（产生率为gp），到达稳态 扩散定律 稳态扩散方程 输运电流 连续性方程 稳态表面复合 4、稳态表面复合 当sp很小时（sp?0）： Ex.17：光照在一个 的n型Si样品，均匀产生非平衡载流子，产生率为 ，设样品的寿命为10us，表面复合速度为100cm/s，试计算 （1）单位时间单位表面积内复合的空穴数； （2）单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。 Ex.: 在t=0时用适当频率的方脉冲光照射某n型半导体样品，光被样品均匀吸收并产生非平衡载流子，产生率为gp，非平衡载流子的寿命为 ，光脉冲的宽度为 试写出非平衡载流子的浓度所满足的方程式； 求非平衡载流子的浓度随时间演化的规律。 Exs.: 13,14,15 x 0 非平衡载流子在体内均匀分布 当sp很大时： 表面处的非平衡载流子几乎为0 * 扩散运动是粒子的有规则运动（定向运动），但是它与粒子的无规则运动（热运动）密切相关，是由浓度的不均匀引起的 在表面薄层内产生大量非平衡载流子，而内部非平衡载流子却很少 因此，表面非平衡载流子浓度比内部高，从而引起非平衡载流子自表面向内部的扩散 n型半导体：考虑空穴的扩散运动 扩散流密度Sp： 单位时间通过单位面积的粒子数 与非平衡载流子浓度梯度成正比 比列系数称为扩散系数，反映了非平衡载流子扩散本领的大小 扩散定律： 描述非平衡少数载流子的扩散规律 由于扩散，单位时间在单位体积内积累的空穴数为 由于复合，单位时间在单位体积内消失的空穴数为 在稳定情况下： 单位时间在单位体积内积累的空穴数应该等于单位时间单位体积内因复合而消失的空穴数 稳态扩散方程 其解为 其中 ，称为扩散长度 A,B为积分常数 将x=0代入， (1)非平衡少数载流子从光照表面开始，向内部按指数规律衰减 (2)在扩散的过程中，浓度衰减到原来值的1/e时所扩散的距离为Lp，即扩散长度 对电子而言： 扩散定律： 稳态扩散方程： 扩散电流： 扩散是载流子从浓度高的地方向浓度低的地方的定向运动，因此会形成电流 当漂移运动和扩散运动同时存在时，半导体中的总电流为： 电子 空穴 扩散定律 扩散系数 稳态扩散方程 扩散长度 有稳定表面光照 外场均匀 无其他外界作用 稳态时 牵引长度 电场很强，扩散运动可以忽略不计 由表面注入的非平衡载流子深入样品的平均距离是牵引长度Lp(E)，而不是扩散长度Lp 电场很弱，漂移运动可以忽略不计 由表面注入的非平衡