7金属和半导体接触精编.ppt

Ch7 金属和半导体接触 扩散方向与漂移方向相反 无外加电压： 扩散与漂移相互抵消—平衡； 反向电压： 漂移增强——反偏； 正向电压： 扩散增强——正偏 3、势垒宽度与外加电压的关系 势垒区的宽度： 1、无外加电压，即 2、有外加电压，即 V 0， d 正↓正向电压使势垒区变窄 V0， d 负↑反向电压使势垒区变宽 势垒的高度和宽度都随外加电压变化： 求通过势垒的电流密度为漂移电流和 扩散电流之和： 漂移电流 扩散电流 J 将 带入上式得 J 解上方程并代入边界条件： 其中， 电流密度变化的讨论： 其大小主要决定于指数因子， J随外加电压V成指数变化 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 7.2.2 热电子发射理论 起决定作用的是势垒的高度，而不是形状。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 。电流的计算即求越过势垒的载流子数目。 热电子发射理论 当n型阻挡层很薄时，即电子的平均自由程大于 势垒宽度。扩散理论不再适合了。电子通过势 垒区的碰撞可以忽略。 1、热电子发射理论的适用范围 ln d —适用于薄阻挡层 —势垒高度 k0 T 非简并半导体 2、热电子发射理论的基本思想 薄阻挡层，势垒高度起主要作用。 能够越过势垒的电子才对电流有贡献 ——计算超越势垒的载流子数目，从而求出电流密度 3、势垒区的伏安特性 半导体一侧，只有能量大于势垒的电子才能越过势垒： 根据麦克斯韦分布可求得 中的电子数： * * §7.1 金属-半导体接触及其能带图 一、概述： 在微电子和光电子器件中，半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的，如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展，使得界面接触显得更加重要。 二、金属和半导体的功函数Wm 、Ws 1、金属的功函数Wm 表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm 功函数大小标致电子在金属中被束缚的强弱 2、半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体 的功函数。 用Χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En ① N型半导体： 式中： ② P型半导体： 式中： Note: 和金属不同的是，半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以，Ws也和杂质浓度有关。 半导体 金属 半导体 金属 能带结构发生变化 新的物理效应 和应用 3、金属/半导体接触(理想接触） 三、金属与半导体的接触及接触电势差 1. 阻挡层接触 金属 n半导体 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： 即半导体的费米能EFs 高于金属的费米能EFm 金属的传导电子的浓度 很高，1022～1023cm-3 半导体载流子的浓度比 较低，1010～1019cm-3 金属半导体接触前后能带图的变化： 接触后，金属和半导体的费 米能级应该在同一水平，半导体的导带电子必然要流向金属，而达到统一的费米能级 接触前，半导体的费米能 级高于金属（相对于真空 能级），所以半导体导带 的电子有向金属流动的可 能 Wm EFm Ws E0 Ec EFs Ev 接触前 接触后 qVD EF EF Ev Ec xd E0 在接触开始时，金属和半导体的间距大于原子的 间距，在两类材料的表面形成电势差Vms。 接触电势差： 紧密接触后，电荷的流动使得在半导体表面相当 厚的一层形成正的空间电荷区。空间电荷区形成 电场，其电场在界面处造成能带弯曲，使得半导 体表面和内部存在电势差，即表面势Vs。接触电 势差分降在空间电荷区和金属与半导体表面之间 。但当忽略接触间隙时，电势主要降在空间电荷 区。 现在考虑忽略间隙中的电势差时的极限情形: 半导体一边的势垒高度为： 金属一边的势垒高度为： 半导体体内电场为零，在空间电荷区电场方向由内向外，半导体表面势Vs＜0 EF Ev qVD Ec E 电场 在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称为阻挡层。界面处的势垒通常称为肖特基势垒。 EF Ev qVD Ec E 电场 所以： 金属与N型半导体接触时 ，若WmWs，即半导体 的费米能级高于金属，电 子向金属流动，稳定时系 统费米能级统一，在半导 体表面层形成正的空间 电荷区，能带向上弯曲， 形成电子的表面势垒。 2. 反阻挡层接触 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数小于半导体的功函数，即： 即半导体的费米能EFs低于金属的费米能EFm 金属和半导体接触时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区，