第九章半导体异质结构概述.ppt

第九章 半导体异质结构 低势垒尖峰情形异质pn结 加正向偏压V, 通过结的总电流密度 Dn1和Ln1：p区少子电子的扩散系数和扩散长度 Dp2和Lp2：n区少子空穴的扩散系数和扩散长度 n10：p区少子浓度 p20：n区少子浓度 由n区注入p区的电子扩散电流密度 由p区注入n区的空穴扩散电流密度 n20：n区多子浓度 p10：p区多子浓度 若n20和p10在同一数量级，则 对窄禁带p型和宽禁带n型的异质结 ?EC, ?EV0, 且kT ? Jn Jp 高势垒尖峰情形异质pn结 由n区注入p区的电子电流密度 由p区注入n区的电子电流密度 正向偏压时 若m1*=m2*, 则总电子电流密度 正向偏压时 9.3 半导体异质结量子阱结构及 其电子能态与特性 9.3.1 半导体调制掺杂异质结构界面量子阱 1. 界面量子阱中二维电子气的形成及电子能态 调制掺杂异质结构： 由宽禁带重掺杂的n型AlxGa1-xAs和不掺杂的 GaAs组成的异质结。 EF GaAs n+-AlxGa1-xAs 调制掺杂异质结界面处能带图 二维电子气 在GaAs近结处 形成电子的势阱 E 0 z V(z) 调制掺杂异质结势阱区内电子势能函数 GaAs的导带底位于布里渊区中心 k = 0, 导带底附近电子的 m* 各向同性 用分离变量法求解 X-y平面内的平面波，对应的能量 电子在 z 方向被局限在几到几十个原子层范 围的量子阱中，能量 Ez 量子化 调制掺杂异质结势阱中的电子在与结平行的 平面内作自由电子运动，实际就是在量子阱 区内准二维运动，称为二维电子气。 二维电子气(2DEG) 2. 二维电子气的子带及态密度 异质结势阱中电子的能量 子带 异质结势阱中电子的能量Ei 分量相同时， （kx, ky)取值不同的电子能态组成的一个带。 求子带中的态密度 设二维电子气在 x 和 y 方向的宽度为 L, 则 nx, ny 取整数 k与 （k+dk)间的电子态数 Ei 取定后 * * 异质结：两种不同的半导体单晶材料组成的结 内容 异质结的能带结构 异质pn结的电流电压特性 异质pn结的注入特性 半导体异质结量子阱结构 9.1 半导体异质结及其能带图 根据半导体单晶材料的导电类型 异质结 { 反型异质结：导电类型相反 同型异质结：导电类型相同 反型：p-nGe-GaAs 或 (p)Ge-(n)GaAs, n-pGe-GaAs 或 (n)Ge-(p)GaAs, p-nGe-Si, p-nSi-GaAs, p-nSi-ZnS, p-nGaAs-GaP, n-pGe-GaAs 等 9.1.1 半导体异质结的能带图 同型：n-nGe-GaAs 或 (n)Ge-(n)GaAs, p-pGe-GaAs 或 (p)Ge-(p)GaAs, n-nGe-Si, n-nSi-GaAs, n-nGaAs-ZnSe, p-pSi-GaP, p-pPbS-Ge 等 禁带宽度较小的半导体材料写在前面 异质结也可分为突变异质结和缓变异质结 突变异质结：从一种半导体材料向另一种半 导体材料的过渡只发生于几个 原子距离范围内。 缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半 导体材料的过渡发生在几个 扩散长度范围内。 1. 不考虑界面态时的能带图 电子亲和能 禁带宽度 功函数 } 决定异质结的能带图 （1）突变反型异质结能带图 形成突变pn异质结前的平衡能带图 真空能级 EV2 EC2 EF2 Eg2 W2 n2 ?EV n1 ?EC Eg1 EV1 EC1 EF1 形成异质结前 p型半导体的费米能级的位置 n型半导体的费米能级的位置 形成异质结后，平衡时，有统一的费米能级 形成突变pn异质结后的平衡能带图 x1 x0 x2 ?EV ?2 qVD2 ?EC 突变反型异质结平衡时 统一的费米能级 界面两边形成空间电荷区，正＝负 内建电场，在界面处不连续 空间电荷区的能带发生弯曲，不连续 两边均为耗尽层 能带总的弯曲量 VD 称为接触电势差（内建电势差、扩散电势） VD1: p型半导体的内建电势差 VD2: n型半导体的内建电势差 qVD1: n型半导体的导带底或价带顶的弯曲量 qVD2: p型半导体的导带底或价带顶的弯曲量 导带底在交界面处的突变 价带顶在交界面处的突变 ?EC 导带阶 ?EV 价带阶 np异质结的平衡