低频电路-基本放大电路2精讲.ppt

跨导gm 2、绝缘栅型场效应管 电压放大电路总结 场效应管放大电路小结 (1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。 (3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。 讨论：带负载能力。 2. 不接射级输出器时的带负载能力： RL=5k ?时： Au=-93 RL=1k ?时： Au=-31 即：当RL由5k?变为1k?时，放大倍数降低到原来的92.3%。 放大倍数降低到原来的30% RL=5 k?时： Au1=-185，Au2=0.99，ri2=173 k? Au= Au1 Au2 =-183 RL=1 k?时： Au1=-174 ，Au2=0.97，ri2=76 k? Au= Au1 Au2 =-169 1. 输出接射极输出器时的带负载能力： 可见输出级接射极输出器后，可稳定放大倍数Au。 3. 若信号经射极输出器后，再经放大后放大电路一输出，求放大倍数Aus 。 Au2=-93 ri2=1.52 k? Au1=0.98 ri=101 k? +EC R1 RC C12 R2 CE RE1 ri uo T1 ui RB C21 RE2 T2 us RS 输入不接射极输出器时： 可见输入级接射极输出器后，由于从信号源取的信号增加，从而可提高整个放大电路的放大倍数Aus。 思考题：若首级接射极输出器、中间级接共射放大电路、末级接射极输出器，射极输出器和共射放大电路的参数同前。求该三级放大电路的放大倍数Au 、 Aus 、 ri和ro 。 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100， ?2=60， ?3=100 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100， ?2=60， ?3=100 rbe1=2.36 k?， rbe2=1.62 k?， rbe3=2.36 k? RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RL=5 k?时： ri2=173 k? ， Au2=-185，Au3=0.99 RL=1 k?时： ri2=76 k? ， Au2=-174 ，Au3=0.97 RL=5 k?时： ri2=173 k? ， Au2=-185，Au3=0.99 RL=1 k?时： ri2=76 k? ， Au2=-174 ，Au3=0.97 ，RS=20k?， RL=5 k?时： RL=1 k?时： 即：当RL由5k?变为1k?时，放大倍数降低到原来的92.3%。 RL=5 k?时： Au1=-185，Au2=0.99，ri2=173 k? Au= Au1 Au2 =-183 RL=1 k?时： Au1=-174 ，Au2=0.97，ri2=76 k? Au= Au1 Au2 =-169 1. 输出接射极输出器时的带负载能力： 由上述特点可知，射极输出器接在多级放大电路的首级可提高输入电阻；接在末级可减小输出电阻；接在中间级可起匹配作用，从而改善放大电路的性能。 阻容耦合电路的频率特性： f A 耦合电容造成 三极管结电容造成 采用直接耦合的方式可放大缓慢变化的信号，扩大通频带。下面将要介绍的差动放大器即采用直接耦合方式。 阻容耦合电路缺点：不能放大直流信号。 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： § 2.7 场效应管放大电路 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 一、场效应管简介 （以N沟道为例） 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。 1、结型场效应管 利用g-s之间电压来控制d-s之间的电流。iD=