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论文答辩; 参考文献 ; 引言： ZnO 是一种宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体材料，ZnO 室温下的禁带宽度约为 3.37 eV，激子束缚能高达 60 meV，比其室温下的热离化能26 meV 大很多，非常适合用于制作短波长发光器件及紫外探测器。ZnO 与GaN 具有相同的晶体结构、相近的晶格常数和禁带宽度，相比于GaN，ZnO的熔点更高，热稳定性及化学稳定性更好。ZnO 单晶薄膜可以在低于500℃的生长温度下获得，比 GaN 等其他宽禁带半导体材料的制备温度低很多，因此可以大大减少高温制备所产生的缺陷。另外，ZnO 原材料资源丰富、价格低廉，无毒无污染，是一种绿色环保型材料，具有十分广阔的应用前景。; 绪论; 绪论; ZnO薄膜的制备方法及基本原理;ZnO薄膜的制备方法及基本原理; 3 .分子束外延法(MBE) 分子束外延法是在超高真空条件下精确控???原材料的中性分子即分子束的强度，把分子束射到加热的基片上外延生长。 4. 化学气相沉积法(CVD) 化学气相沉积法（CVD）是将含有构成薄膜元素的一种或几种化合物或单质气体，借助气相反应生成薄膜的方法。 5.金属有机