集成电路版图设计基础第1章：版图设计基础探析.pptVIP

集成电路版图设计基础 basics of IC layout design;第一章 版图设计基础;半导体材料 -固态材料分类： 导体，半导体，绝缘体。;半导体材料 -固态材料分类： 导体，半导体，绝缘体。 绝缘体：介于10-18S/cm ~ 10-8S/cm,如熔融石英、玻璃 导体： 介于 104S/cm ~ 106S/cm，如铝、银等金属 半导体：介于二者之间，如Si、Ge等 超导体：大于106S/cm -半导体材料的类型： 元素(element)半导体 化合物(compound)半导体;半导体材料 -元素半导体: 第IV族元素,硅(Si)，锗(Ge)。 硅、锗都是由单一原子所组成的 元素半导体，周期表第IV族元素。 20世纪50年代初期：锗 60年代初期以后： 硅 硅的优势： 硅器件在室温下有较佳的特性； 高品质的硅氧化层可由热生长的 方式产生，成本低；硅含量占??? 表的25%，仅次于氧，储量丰富。;半导体材料 -化合物半导体： 二元化合物(binary compound) GaAs 、InP、ZnS 三元化合物(ternary compound) AlxGax-1As 四元化合物(quaternary compound) GaxIn1-xAsyP1-y 化合物半导体的优势与不足： 1.许多化合物半导体具有与硅不同的电和光电特性。这些半 导体，特别是砷化镓(GaAs),主要用于高速光电器件。 2.与元素半导体相比，制作单晶体形式的化合物半导体通常 需要较复杂的程序。 3.化合物半导体的技术不如硅半导体技术成熟。 ;半导体材料 -化合物半导体材料：;半导体材料 -能带 孤立氢原子的波尔能级模型： Eh = -13.6/n2 eV 多个相同原子接近时,分裂成 N个分离但接近的能级，当N 很大时，将形成一连续的能带。 -导带、价带、禁带宽度 3s/3p副外层交互作用及重叠， 由2/6个允许的量子态，分裂 成分别有4个量子态的低/高能带。 导带底部为Ec，价带顶部为Ev， Ec-Ev为禁带宽度Eg。 SiEg=1.12eV,GaAsEg=1.42eV。;半导体材料 -P型半导体和N型半导体的杂质能级: ;半导体材料 -有效质量 一个自由电子的动能为 E = p2/2m0 半导体晶体中，E = p2/2mn mn = (d2E/dp2) -1 -直、间接禁带半导体 以 “E-p曲线中导带的最低处和价带的最高处是否发生在相 同的p位置”来判别直、间接禁带半导体。;半导体材料 -直接禁带半导体： 右图为砷化镓的动量-能量 关系曲线，其价带顶部与导 带最低处发生在相同动量处 (p＝0)。因此，当电子从价 带转换到导带时，不需要动 量转换。这类半导体称为直 接带隙半导体。 砷化镓有一非常窄的导带抛 物线，其电子的有效质量仅 为0.063m0。 ;半导体材料 -间接禁带半导体： 对硅而言，其动量-能量曲线中 价带顶部发生在p＝0时，但导 带的最低处则发生在沿[100] 方向的p＝pC。因此，当电子 从硅的价带顶部转换到导带最 低点时，不仅需要能量转换 (≥Eg),也需要动量转换(≥pC)。 这类半导体称为间接带隙半导体。 硅有一较宽的导带抛物线，其电 子的有效质量为0.