半导体二极管和三极管(新版)概论.pptVIP

第十四章 半导体二极管和三极管;14.1 半导体的导电特性; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;二. 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;内电场E; 动画演示;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;14.3 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号; 一 、半导体二极管的V—A特性曲线;例：;;二极管的近似分析计算;利用二极管的单向导电性，可实现整流、限幅、钳位、检波、保护、开关等。 1.整流电路 整流电路是利用二极管的单向导电作用，将交流电变成直流电的电路。 ; 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。;钳位电路是使输 出电位钳制在某一数 值上保持不变的电路。 设二极管为理想元件， 当输入UA＝UB＝3V时，二极管V1，V2正偏导通，输出被钳制在UA和UB上，即UF＝3V； 当UA＝0V，UB＝3V，则V1导通，输出被钳制在UF＝UA＝0V，V2反偏截止。;举例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V;例．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。设二极管为理想的。;四. 二极管的主要参数;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;稳??极管的近似分析计算;例:ui为幅度±14V的交流三角波，波形如图所示，串联稳压管，稳压电压7V，导通电压0.7V，分析电路并画出相应的输出电压波形。;例．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时。 ;14.5 半导体三极管;一.BJT的结构;二． BJT的内部工作原理（NPN管）; （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;（3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成ICN 。;2．电流分配关系;三. BJT的特性曲线（共发射极接法）; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;例：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。;测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。;测得晶体管以下四种情况，试判断哪种情况晶体管处于饱和状态 。;四. BJT的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; （3）反向击穿电压; 半导体三极管的型号;本章小结