第二章 p-n结.ppt

半导体器件物理---光电子器件;教材 “半导体器件物理”，施敏（美），西安交通大学出版社，第一版, 2008年 参考书目 “Understanding Semiconductor Devices” Sima Dimitrijev (USA), Oxford University “Physics of semiconductor device”, J. P. Colinge (University of California), Kluwer Academic publishers. The Physics of Solar Cells. J. Nelson. Imperial College Press, 2003. ;目录;1、半导体材料的组成原则;硅单晶的基本结构：;半导体材料在元素周期表中的位置;二元半导体复合材料合成原则;二元半导体复合材料合成原则;3、其他：PbS、PbTe等 晶体结构：岩盐结构，每个原子有6个紧邻原子;三元或四元半导体的组成原则(需考虑原子半径);能带结构（E-k）关系;晶体中的能带;价带和导带 定义金属、半导体和绝缘体;由能带图分析直接带隙半导体和非直接带隙半导体;1.4 热平衡时的载流子浓度;电子与空穴在能带中移动的概念; ;能带中的态密度;EF: 费米能级 E=EF，f(E)=0.5;Ch2 p-n结;集成电路中的电阻;如何在集成电路工艺中实现电阻器的制造？;Resistance: Conductivity: Sheet resistance: ;;例子1： 用一个方块电阻为200Ω/□的层设计一个3.5kΩ的电阻。该集成电路工艺所能达到的最小尺寸为1微米.;提纲;提纲;cathode;p-n结在电路中的基本应用;The rectifying property of diodes combined with voltage source can create clamping circuits.;PN结在光电子器件中的应用;提纲;p-n结的能带图;For a system in thermal equilibrium, the Fermi level is constant throughout the system.;The energy-band diagram of unbiased P-N junction is constructed in the following way: (the current flowing through the circuit is equal to zero);;反向偏压下pn结的能带图;The energy-band diagram of reverse-biased P-N junction is constructed in the following way: (the current flowing through the circuit doesn’t increase with increase in the reverse-bias voltage);正向偏压下pn结的能带图;;提纲;p-n结中的空间电荷分布与结电容;耗尽区宽度w求解（利用泊松方程加边界条件）;耗尽区宽度与结电容：;讨论;外加偏压引起耗尽区宽度的变化;耗尽区势垒电容---集成电路中的电容器 （pn结反偏电容器）;耗尽层电容的C-V特性;考虑单边突变结;例：一硅突变结，Na=2x1019/cm2, Nd=8x1015/cm2,计算室温下0偏压和反???偏压为4V时的结电容。;例二: 线性缓变结;任意杂质浓度分布的测量 ---考虑线性缓变结的微分形式;2.6.4 在集成电路中的应用---变容器(varactor); Example 2.3 Minimum P-N junction capacitance Calculate the minimum capacitance that can be achieved by a linear P-N junction capacitor when the reverse-bias voltage changes between 0 and 5V, if the maximum capacitance is 2.5pF. Assume that the built-in voltage is Vbi=0.8V.;习题：;提纲; 载流子的漂移; 载流子的漂移;迁移率;计算在300K下，迁移率为1000cm2/(Vs)的电子的平均自由时间和平均自由程，假设mn=0.26m0;扩散方程：;扩散电流：;电流密度方程 当浓度梯度与电场同时存在时总电流密度为漂移及扩散成分的总和;连续性方程的基本表达式:;理想pn