讲义_19探测器_V2答案.ppt

第十七章 集成光探测器 ;集成光探测器 ;17.1耗尽层光电二极管 17.2特殊光电二极管结构 17.3改进光谱响应的方法 17.4限制集成光电探测器性能的因素 ;17.1耗尽层光电二极管 ;17.1.1常规分立光电二极管 ;Fig.17.1 p-n结二极管在反偏压Va作用下的能带图 ;区域（b）中产生的空穴和电子被反偏压电场分开，空穴被扫向p区（c），电子被扫向n区（a）。n区产生的空穴或p区产生的电子有一定的概率扩散到耗尽层（b）边缘，然后被电场扫过耗尽层。区域（a）中的电子或区域（c）中的空穴是多数载流子，它们由于反向偏压的作用各自处在原来的区域，不会被扫过耗尽层。 ;Fig.17.2 p+-n（高-低）结二极管在反偏压Va作用下的能带图 ;在GaAs及其三元和四元合金中，电子迁移率一般比空穴迁移率大得多，因此常把p区做得比n区薄，且掺杂也比n区重得多。这样，器件大部分都处于n型材料中，而p区实质上只作为一个接触层。 ;式中， ?0是总光子通量，单位是光子数/（cm2·s），W是耗尽层宽度，q是电子电荷值，α是带间光吸收系数，Lp是空穴扩散长度，Dp是空穴扩散系数，Pn0是平衡空穴浓度。式(17.1)中最后一项表示反向漏电流（或称暗电流），它由n型材料中的热生空穴引起，这就解释了为什么这一项不正比于光子通量?0 。 ;探测器的量子效率ηq，或者说，每个入射光子产生的载流子数，由下式给出： (17.2) ηq可取0到1之间的任何值。 ！：式(17.1)和式(17.2)已作了散射损耗和自由载流子吸收小到可忽略不计的假设。 ;如果带间吸收系数α与W和Lp相比太小，许多入射光子将完全通过二极管的有源层进入衬底，如图17.3所示。只有在宽度为W的耗尽层内吸收的光子能以最大的效率产生载流子。从耗尽层边缘到扩散长度Lp的深度范围内吸收的光子对产生光生载流子也有些影响，在这区域内的空穴可扩散到耗尽层。 在被吸收之前穿透深度大于(W+Lp)的光子基本上无光生过程，因为要这些光子产生达到耗尽层并扫过耗尽层的空穴，其统计概率是非常低的。在半导体内部，光子通量?(x)随着距离表面的深度x的增加而指数下降，如图17.4所示。因此，若α不够大，许多光子在吸收之前穿透太深，所产生的载流子（平均来说）在扩散到达耗尽层之前就已经复合了。 ;Fig.17.3常规台面结构p+-n结光电二极管的光子深入情况图 ;半导体的带间吸收是波长的强函数。不可能设计一个对所有波长都理想的二极管的耗尽层宽度W。 耗尽层光电二极管的性能，除了α、W和Lp很难匹配好，引起量子效率降低外，还受到其他一些限制，这些限制也是很重要的。;17.1.2波导光电二极管 ;Fig.17.5波导探测器示意图 ;式中，L是光传输方向探测器的长度。因为W和L是两个独立参量，可以选择探测器体内载流子浓度和偏压Vα，使耗尽层厚度W等于波导厚度，而L应足够长以满足使αL1。只要调节长度L，对任何α值能得到100%的量子效率。例如：若材料的吸收系数相当小，α＝30 cm-1，只要取长度L＝3 mm，可得量子效率ηq＝0.99988。当然，式(17.3)中再次假定散射损耗和自由载流子吸收可忽略。 ;因为波导探测器可制作在很狭窄的通道波导中，即使L相对较大，电容也很小。这个电容值约为典型的常规台面光电二极管电容的1/10。因此，高频响应可以得到很大改进。 因为在波导光电探测器中所有入射光子都直接在耗尽层内吸收，不仅使ηq增大，而且可以消除载流子扩散所引起的时间延迟。这个结果可进一步改善高频响应。;17.2 特殊光电二极管结构 ;17.2.1肖特基势垒光电二极管 ;Fig.17.6 肖特基势垒二极管能带图：（a）零偏压（b）反偏压Va;常规台面器件常用薄的、光学上透明的肖特基势垒接触（而不用p+-n结），以消除发生在p+层的高能光子的强烈吸收，增强短波响应，但波导光电二极管则不需要用肖特基势垒接触来改善短波响应，这是因为光子是横向进入有源区的。 然而，因为肖特基势垒光电二极管易于制作，为集成应用的最佳选择。例如：几乎任一种金属（除了银）在室温下蒸镀到GaAs或GaAlAs上，都会产生有整流效应的肖特基势垒。常用的是金、铝或铂。透明导电氧化物如铟锡氧化物（ITO）和镉锡氧化物（CTO）也能够用来消除接触（面）层的光子掩模效应，从而提高量子效率，详细介绍见17.2.4节。蒸镀时用光刻胶掩模来限定横向尺寸，而不像扩散浅p+层那样须小心控制时间和温度。 ; PIN光电二极管 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度