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分级纳米硫化亚锡的合成及形貌控制
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2016
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分级纳米硫化亚锡的合成及形貌控制
摘 要:硫化亚锡由于其理想的禁带宽度、丰富的蕴藏量及无毒无害的特点,使其在太阳能转换方面的研究倍受关注。文章首先采用溶剂热的方法合成分级纳米硫化亚锡,然后通过改变硫源、反应温度、配位剂及含量、表面活性剂等实验条件合成了不同形貌的SnS。最后以硫脲为硫源,以5mL三乙醇胺为配合剂,反应温度为200℃合成的SnS进行了光催化性能研究,结果表明,由于其具有较大的比表面积和较小的表面缺陷,表现出较好的吸附性能和光催化性能。
关键词:硫化亚锡;分级纳米结构;光催化性能
SnS是一种重要的半导体材料,其直接带隙和间接带隙分别为1.2~1.5eV和1.0~1.1eV,与太???辐射有很好的光谱匹配,因而在太阳能电池中作为光吸收层[1,2],场效应晶体管、红外探测器、锂离子电池的阳极材料都有很好的应用前景。近来,将其用于可见光催化[3-6]也有些报道。Biacchi等[7-10]以硫代乙酰胺为硫源,以油酸、十八烯为溶剂,以1-正辛基膦、六甲基二硅氮烷为络合剂采用溶胶法合成10nm左右立方体和多面体,以及200nm左右的纳米片,并检测了它们对甲基蓝的光催化分解作用,探讨了光催化性能与SnS暴露面的关系。Patra[7]以硫脲为硫源,同样以油酸为溶剂,以1-正辛基膦、十六烷基胺、十八胺、三丁基膦多种物质为添加剂采取溶胶法得到10nm左右的立方体和三角体,对其光催化性能进行了评估并探讨了同样的问题。Hu等[8]以二乙基二硫代氨基甲酸脂为硫源,以油胺、二硫化碳为溶剂用溶胶法合成片状SnS,具有一定的光催化性能。Chao[9]简单地以硫脲为硫源,以乙二醇为溶剂用溶胶法合成了SnS纳米花状结构,也具有较好的光催化性能。Zhang等[10]也以乙二醇为溶剂用溶胶法分别合成了纳米花及20nm左
右的纳米粒子,结果证明比表面积高的纳米花比纳米粒子具有更好的催化性能[11]。虽然上述patra和Hu在合成方法中所用的长链烷基酸、脂或膦类对SnS形貌控制起到很好的效果,但它们多数价格昂贵,在空气中易氧化或挥发,且复杂的体系不易后期的废物处理。作为光催化材料使用的SnS,提高其比表面是提高其性能的关键因素。另外上述溶胶法中为防止SnS的氧化,大多让体系处于真空或氮气环境,但SnS的氧化产物SnS2和SnO2均为半导体材料,它们与SnS的复合往往能通过电荷在两种物质间的转移和分离提高催化性能。因此寻找一种简单易行的合成方法,控制SnS的形貌使其具有较高的比表面积,获得较好的催化效果,对开拓SnS的应用仍具深远意义。
文章采用简单的溶剂热方法,合成了多种形貌的SnS纳米材料,系统地探讨了硫源、反应温度、配位剂及含量以及表面活性剂对SnS纳米材料形貌的影响。并对形貌均匀的SnS进行了光催化实验,结果表明它具有较好的光催化性能。文章的研究对于SnS纳米材料的光催化应用具有一定的参考价值。
1 实验方法
1.1 SnS纳米材料的合成
所有的原料均为分析纯级别,购置后直接使用,未作进一步的处理。
将3mol的SnCl2?2H2O和等物质量的硫源分别溶于30mL的乙二醇中,完全溶解后将两者混合,再加适量的络合剂三乙醇胺或六甲基二硅氮烷,表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮或溴代十六烷基三甲胺。混合均匀后将其倒入100mL反应斧中,反应斧密封后置于马弗炉中以10℃/min的升温速率将其升至160~200℃,并保温12h自然冷却至室温,产物为黑色沉淀。沉淀用无水乙醇和蒸馏中反复洗涤并离心分离4次,得到的产物在60℃的真空中干燥2天。
1.2 样品的表征
样品的物相采用XRDX射线衍射仪进行表征,测试角为10-80°,扫描速度为4°/min。样品的形貌采用电子显微镜进行观察。SnS的光学带隙是用50mg的样品与标准2.0g的BaSO4混合压片,采用紫外光谱仪积分球测试其吸收光谱,并采用公式αhv=An/2计算其带隙。这里α、hv、A和Eg分别为吸收系数、光子能量、比例系数及带隙。n的取值若为直接带隙则取1,间接带隙取4。
1.3 光催化性能测试
取20mg的样品置于浓度为8mg/L罗丹明溶液中,并置于暗室中进行搅拌1h,使其达到吸附平衡,这时RhB溶液的吸收系数不再发生变化。将其置于350W装有λ420nm滤光片的氙灯下进行光催化反应,隔段时间取出4mL的RhB溶液离心后测试其紫外吸收光谱。光催化的残余率c/c0用A/A0来表征,这里c、c0分别表示RhB溶液的浓度,A、A0表示RhB溶液在λ=554nm的吸收值。
2 结果与讨论
2.1 纳米SnS的形貌控制
2.1
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