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5.1 半导体的基础知识
5.2 二极管
5.3 晶体管
5.4半导体器件的型号和检测
;5.1 半导体的基础知识;5.1.1 本征半导体;本征半导体的导电性; 结论:
; 1、N型半导体
在硅或锗的晶体中掺入五价元 素磷。;;5.3 PN结及其单向导电性;－;2.PN结反向偏置;5.2 二极管;5.2.1 二极管的结构;分类：;5.2.2二极管的伏安特性;5.2.3二极管的主要参数;5.2.4 二极管的应用; 当输入电压高于某一个数值时，输出电压保持不变，这就是限幅电路。 ;1、稳压二极管;稳压二极管的主要参数;2、发光二极管;5.3 三极管;5.3.1 晶体管基本结构;5.3.2晶体管的电流放大原理;2.晶体管内部载流子的运动规律;图5-16 晶体管内部载流子运动
; 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：;5.3.3 三极管的特性曲线;2、输出特性;;1.共发射极电流放大系数;3.极限参数;5.4 ??导体器件的型 号和测试;5.4.1 半导体器件的型号;5.4.2 半导体器件的测试;在 R ? 1 k 挡进行测量，;2 中、小功率晶体管的检测;2) 判定集电极c和发射极e。
以NPN型管为例，将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔接在假设的发射极e上，黑表笔接在假设的集电极c上，并且用手捏住b和c极(不能使b和c极直接接触)，读出表头c、e极间的电阻值，然后将黑、红表笔反接重测。若第一次电阻值比第二次小，说明原假设成立，黑表笔所接为晶体管的集电极c，红表笔所接为晶体管的发射极e。;(2) 性能检测
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