第三章硅片制造过程中沾污控制资料.pptVIP

第三章 硅片制造中沾污控制;3.1引言;3.2净化间基本情况;3.3沾污的类型;颗粒：能粘附在硅片表面的小物体;;;金属杂质：危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属;危害：金属离子被称为可动离子沾污（MIC）。当MIC引入硅片中时，在整个硅片中移动，严重损害器件电学性能和长期可靠性。金属杂质导致了半导体制造中器件成品率的减少，如氧化物－多晶硅栅中的结构性缺陷，pn结上泄漏电流的增加及少数载流子寿命的减少。MIC沾污能迁移到栅结构中的氧化硅界面，改变开启晶体管所需的阈值电压。;有机物沾污：指那些包括含碳的物质，几乎总是同碳自身及氢界结合在一起，有时也和其它元素结合在一起。 有机物沾污来源：包括细菌、润滑剂、蒸气、清洁剂、溶剂和潮气等。 有机物沾污带来的问题：在特定的工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。有机材料给半导体表面带来的另一个问题是表面清洗不彻底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍保留在硅片表面。;自然氧化层;静电释放（ESD）;3.4沾污的源与控制;空气;人;厂房;空气过滤：主要将空气流经初级、中级、高级三级过滤器，初级可以将粒径大尘埃清除掉，中级过滤器可除去1～5 μm 粒径的尘埃，高效过滤器能滤掉0.5 μm 左右的尘埃。 初级过滤器：通常采用具有一定孔径的栅网状结构的物质和尼龙纤维毡等作为过滤材料。 中级过滤器：采用泡沫塑料，不同孔径、不同厚度的泡沫塑料可获得不同的过滤效果。 高级过滤器：不仅要达到过滤的目的，而且要产生均匀的层流，过滤材料通常做成纸片状，过滤纸材料有：玻璃纤维、石棉和纤维素。 初级过滤器一般安装在洁净室回风口，新风入口处，中级过滤器目的可延长高效过滤器的使用寿命。 ;HEPA（高效空气过虑器）——采用玻璃纤维制作成型，产生层状气流。 ULPA（超低渗透率空气过虑器）——具有99.9995％或更高效率过虑直径超过0.12 μm 颗粒的过滤器。;水;工艺用化学品、工艺气体;生产设备：硅片工厂最大的颗粒来源;3.5硅片湿法清洗;RCA清洗：工业标准湿法清洗工艺，由美国无线电公司（RCA）于20世纪60???代提出。 1号标准清洗液（SC-1): NH4OH/H2O2/ H2O=1:1:5~1:2:7 2号标准清洗液（SC-2):HCl/ H2O2/ H2O=1:1:6~1:2:8 使用温度75～85摄氏度，存放时间10到20分钟。;1号标准清洗液（SC-1)是碱性溶液，能去除颗粒和有机物质。SC-1湿法清洗是通过氧化颗粒或电学排斥起作用。 氧化机理：过氧化氢是强氧化剂，能氧化硅片表面和颗 粒，颗粒上的氧化层能提供消散机制，分裂并溶解颗粒， 破坏颗粒和硅片表面之间的附着力。氧化效应也在硅片 表面形成一个保护层，阻止颗粒重新粘附在硅片表面。 电学排斥：氢氧化铵的氢氧根轻微侵蚀硅片表面，并从颗粒下 部切入。氢氧根在硅片表面和颗粒上积累负电荷，表面和颗 粒上负电荷使得颗粒从表面排斥开并进入SC-1清洗液。表面 负电荷的另一个好处是它阻止颗粒的重新淀积。;2号标准清洗液（SC-2);改进的RCA清洗;硅片清洗步骤;RCA清洗替代方案