第1章南昌大学低频.ppt

第 1 章　晶体二极管;1.1　半导体物理基础知识;　　硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。; 本征激发;　　当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。;温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。; N 型半导体：; P 型半导体; 杂质半导体中载流浓度计算;例：一块本征硅片中掺入五价元素砷，浓度为Nd＝8×1014cm－3。试求室温300K时的自由电子和空穴的热平衡浓度值。 由于ni=1.5×1010 cm－3 故多子自由电子浓度n0;例：一块本征硅片,先掺入五价元素砷，浓度为Nd＝8×1016cm－3，为N型半导体，再掺入浓度为 的三价硼原子，试问它为何种杂质半导体，并求室温时的多子和少子的热平衡浓度值。;1.1.3　两种导电机理——漂移和扩散; 半导体的电导率;　　假设足够强度的光均匀地照射在半导体???，半导体的热平衡条件受到破坏，由光照产生的载流子将叠加在热平衡浓度值上。常将它们称为非平衡载流子，其浓度值分别用 表示，且两者相等。;　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。;1.2　PN 结;1.2.1　动态平衡下的 PN 结; 内建电位差：;1.2.2　PN 结的伏安特性; PN 结——单向导电特性; PN 结——伏安特性方程式; PN 结——伏安特性曲线;1.2.3　PN 结的击穿特性;1.2.4　PN 结的温度特性;因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。;1.2.5　PN 结的电容特性; PN 结电容;1.2.6　PN 结的开关特性;1.3　晶体二极管电路的分析方法;1.3.1　晶体二极管模型;曲线模型—伏安特性曲线;等效电路模型;小信号电路模型;图解法; 例 　已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的 　　　静态工作点电压和电流。;?t; 等效电路法;例 　设二极管是理想的，求 VAO 值。;(2)画输出信号波形方法; 小信号分析法 ;;1.4　晶体二极管的应用; 整流电路; 稳压电路;1.4.2　限幅和钳位电路; 钳位电路;1.4.3　二极管与门、或门;发光二极管