第5章 获取材料II.ppt

第五章　信息获取材料;5.4 元素半导体光电材料;理想的晶体是不存在的，由于实际半导体中化学杂质和结构缺陷或多或少为存在，影响平衡时电子和空穴的相对浓度。但是： 施主和受主相等浓度导致类似本征材料的状况。 杂质能级如果靠近相应能带边缘，则为浅位杂质，反之为深位杂质。前者是III族和V族的全部元素，后者有过渡金属等。;热振动、杂质和结构缺陷是晶体周期的不完整性的三个方面。 缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。 点缺陷是集中在晶体中单点的结构缺陷，包括空位和填隙等； 线缺陷是沿着一条件集中的不完整性，也叫做位错，如：应力作用下产生的某些平面滑移等； 人们对面缺陷的研究知之甚少，相对来说也不太重要。;在实际应用中，电子和空穴的浓度往往是偏离平衡浓度的，即所谓的非平衡现象是普遍存在的。 如果： 那么，可以定义 t 为少数载流子寿命。再由Einstein关系可以得到扩散率和扩散长度： 在最初的半导体晶体中，截流载流子寿命仅受复合过程限制，因为当时注重于减少俘获效应；但是在半导体辐射探测器的研究中，往往是由测量出的电荷收集效率来推导电荷载流子的寿命的。;Eg(Si) = 1.12 eV Eg(Ge) = 0.67 eV，两者的本征型探测器远不如PbS探测器，所以要引入杂质。 1.非本征 Si 材料的特性 引入杂质在Si禁带中建立起相应的