1-半导体器件课程.pptVIP

第1章 半导体器件;§1.1 半导体基础知识;§1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;3、本征半导体中的两种载流子;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成; 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。;1、PN结加正向电压—导通 扩散运动加剧，耗尽层变窄，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态，呈低阻性。;2、PN结加反向电压—截止 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止，呈高阻性。;3、PN结的伏安特性;4、PN 结的电容效应;（2）扩散电容（几十pF—几千pF）;§1.2 半导体二极管; 一、二极管的类型和结构;点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。;Ge;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;3. 反向击穿现象及原因 ;三、二极管的主要参数; 直流电阻RD ; 交流电阻rd ;1、稳压二极管;（1）. 伏安特性;2、光电二极管;光电二极管的伏安特性;;3. 折线模型（实际模型）;例： U=0时，UR的波形？;;1.判断二极管是导通还是截止？ 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端的电位。 a、理想二极管： 若某管阳极电位大于阴极电位，则接上二极管后，该管 导通；反之，二极管截止。; 假设管子开路时，所分析出的电位，并不是电路的实际电位。 2、利用上述分析结果，将截止的D开路，导通的D用简化电路模型代替，然后分析求解。;例：二极管电路如图所示，设输入电压vI(t)波形如图所示，在0 t 5ms的时间间隔内，试绘出vO(t)的波形，设二极管是理想的。;稳压管稳压电路;例：电路如图，所有稳压管均为硅管，且稳定电压VZ=8V，设vi=15sinωtV，试绘出vo1和vo2的波形。;+;例：（1）试近似写出稳压管的耗散功率PZ的表达式，并说明输入VI和负载RL在何种情况下，PZ达到最大值或最小值；（2）写出负载吸收的功率表达式和限流电阻R消耗的功率表达式。;六、二极管的应用电路;;3、钳位电路 ;§1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构及类型;小功率管;晶体三极管的型号;(a) 共发射极 (b) 共集电极 (c) 共基极;三、晶体管的放大作用;电流分配与放大：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;定义：;四、晶体三极管的特性曲线;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数