3半导体表面异质结课程.pptVIP

《半导体表面》;基本内容 § 9.1 异质结及其能带结构 § 9.2 异质结的电流输运机构 § 9.3 异质结在器件中的应用;异质结定义;如何制作“好的”异质结? 晶格失配较小； 可预计或已知的能带结构； 具备合适的衬底材料； 具备compositional grading潜力； 生长技术兼容。 ;Substrates (Wide band gap materials) Sapphire SiC Bulk GaN and quasi-bulk growth Bulk AlN Si ZnO, GaAs, LiGaO2, LiAlO2;异质结生长技术;Nichia Two-Flow MOCVD Process for High Quality Epitaxial GaN;Molecular Beam Epitaxy;Pulse Atomic Layer Epitaxy Sequentially modulated precursors The duration of each pulse in the unit cell is fixed, and the NH3 pulse always follows each metallorganic pulse Migration Enhanced MOCVD The duration and waveforms of precursor pulses are optimized, and, generally speaking, the pulses overlap allowing for a continuum of growth techniques ;（1） 如何选取半导体材料？ 带隙差异明显而晶格基本吻合 （2） 异质结半导体能带结构? 安德森模型 ;SiGe heterostructures 4.2% difference in lattice constants Layer is strained and must be grown below the critical thickness;Epitaxial growth technology: layer by layer on a substrate Important parameters: Lattice mismatch Epitaxial layer thickness ;晶格失配产生的悬挂键 界面态：异质结界面处的电子态;Bandgaps and lattice mismatch;χ1;说明：;平衡态突变反型异质结接触电势差及势垒区宽度;将上式分别代入VD、 VD1、 VD2，有;非平衡态突变反型异质结接触电势差及势垒区宽度;§9.2 异质结电流输运机构;稳态情况下，p型半导体中注入的少数载流子运动的连续性方程为：;类似地，对于空穴少子电流：;发射模型: 认为在任何温度下，由于热运动，将有一部分载流子具有足够的热运动能量克服势垒，从交界面一侧以热电子发射方式通过势垒而进入另一侧。发射-复合模型：认为在交界面处存在着晶格被强烈扰乱的一薄层，它产生许多界面态，使得以热发射方式克服了各自的势垒而达到交界面处的电子和空穴迅速复合。隧道-复合模型：在交界面处存在界面态，既考虑到隧道效应又考虑到复合作用。隧道模型：不考虑复合作用，载流子都以隧道效应方式通过势垒。;Heterojunction p-N diode; 实际表明： 利用异质结制作的激光器，电致发光两极管，光电探测器，应变传感器等，比用同质结制作的同类元件的性能优越。;直接利用异质结隧道势垒的隧道效应： 在多结太阳能电池中 ，隧道结形成连续的pn结之间的连接。 它们的功能作为欧姆在中间的半导体装置的电接触 。 共振隧道二极管。;隧穿系数随能量迅速增大。 热电子晶体管: 在热电子晶体管中作为电子注入控制的“调节器”：在热电子晶体管的基区两侧各有一个势垒与发射区和集电区相连,势垒的作用是把冷电子束缚在它们各自的区域内，从发射区注入到基区的热电子具有足够大的能量穿过集电区的势垒，几乎与集电极电压无关，因此这种器件具有很高的输出阻抗。; 利用ΔEc和 ΔEv形成。 双异质结或三层材料。 中间层半导体具有最低的 Ec (电子势阱) 或最高的Ev (空穴势阱)。 Straddling (Type I) Staggered (Type II) ;在二维系统中局限载流子。 载流子在一维方向上的运动受限。 能量离散形成子带。 因为势垒高度Φb有限，隧道效应。 要求Lx小于电子的平均自由程和de