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第三章 电性材料;3.1 导体、半导体和绝缘体材料 ;3.1.1导体、半导体和绝缘体的区别——能带理论 ;原子结构示意图;能带：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，从而导致离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。电子的共有化使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 ;H + H H2;金属中电子的共有化;允许带：允许被电子占据的能带称为允许带，原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带：价带以上能量的最低的允许带称为导带。 满带：被电子占满的允许带称为满带； 空带：每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 禁带：允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。导带的底能级为Ec，价带的顶能级为Ev， Ec和Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。;体块硅的能带示意图;3.1.2 导体、半导体和绝缘体区别的能带论解释;绝缘体的能带结构： 价带为满带， 禁带较宽 ΔEg≈3～6 eV; 半导体的能带结构： 价带为满带， 禁带宽度 ΔEg≈0～2 eV;载流子：导体和半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。 导体的载流子是自由电子； 半导体的载流子是带负电的电子和带正电的空穴。 ; Electron conduction in n-type semiconductors (and metals);PN结(PN-junction);本征半导体：是指不含杂质的半导体；通常由于载流子数目有限，导电性能不好。 N型半导体：在本征半导体中掺入5价元素，载流子多数为电子。杂质能级—施主能级 P型半导体：在本征半导体中掺入3价元素，载流子多数为空穴。杂质能级—受主能级 ;p;3.1.3 导体材料 金属：如银、铜、铝等； 可用作电缆材料，电池材料，电机材料，开关材料，辐射屏蔽材料，传感器材料等； 合金：如黄铜、镍铬合金等； 可用作电阻材料和热电偶材料； 非金属：如石墨、C3K、 C24S6等； 可用作耐腐蚀导体和导电填料等。;3.1.4 半导体材料;硅和锗——第一代半导体材料;非晶;Ge;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 ;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;二、杂质半导体;N 型半导体;P 型半导体;单晶硅棒 (直拉法);;硅在太阳能电池上的应用 单晶硅 多晶硅 非晶硅;;砷化镓——第二代半导体材料;氮化镓——第三代半导体材料; 特点： 三种晶体结构：纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿 宽禁带半导体材料： InN---1.9 eV，GaN---3.4 eV，AlN---6.2eV ;氮化镓 ;3.3 铁电、压电、热释电和介电材料 ;自发极化;+;(3) 无对称中心，且本身具有自发极化特性的结构; 例2：由热运动引起的自发极化;等轴晶系（大于120oC） ： 晶胞常数：a=4.01A 氧离子的半径：1.32A 钛离子的半径： 0.64 钛离子处于氧八面体中， 两个氧离子间的空隙为：4.01－2× 1.32= 1.37 钛离子的直径：2× 0.64= 1.28;结果： 氧八面体空腔体积大于钛离子体积，给钛离子位移的余地。 较高温度时，热振动能比较大，钛离子难于在偏离中心的某一个位置上固定下来，接近六个氧离子的几率相等，晶体保持高的对称性，自发极化为零。 温度降低，钛离子平均热振动能降低，因热涨落，热振动能特别低的离子占很大比例，其能量不足以克服氧离子电场作用，有可能向某一个氧离子靠近，在新平衡位置