第五章半导体的表面界面及接触现象课题.ppt

第五章 半导体的表面、界面及接触现象 ;一、理想表面和实际表面 理想表面：表面处的原子和电子状态同晶体内部的原子和电子状态一样。即表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 实际表面又分为： 清洁表面：在表面没有吸附杂质，也没有被氧化的实际表面。 真实表面：表面原子生成氧化物或其它化合物 。;二、表面态;Si; 从硅表面态的实验测量中证实：其表面能级由两组组成：一组为施主能级，另一组为受主能级，靠近导带。 此外，在表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态： 其特点是，其数值与表面经过的处理方法有关，而达姆表面态对给定晶体在“洁净”表面时为一定值。 表面态对半导体各中物理过程有重要影响，特别是对许多半导体器件的性能影响更大。;§5-2 半导体的表面电场;Eo;3．氧化层中的杂质离子 4．外加偏压 引入表面态的概念，说明表面态的来源。 热平衡状态下理想MIS结构中半导体的表面电场效应，包括表面势，表面空间电荷区的电场、电势和电容。 理想MIS结构的电容-电压特性，并讨论金属和半导体功函数差、绝缘层电荷对MIS结构的电容-电压特性的影响。;二、表面电场效应;2．空间电荷区和表面势; － －－－－ －－－ －－;x;3．能带弯曲和载流子浓度的变化;空间电荷区的电势随距离逐渐变化，半导体表面相对体内就产生电势差，同时能带也发生弯曲。 表面势及空间区内电荷的分布随金属与半导体间所加的电压VG而变化，可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况。 对于p型半导体，有三种情况： 1） 多数载流子堆积状态 2） 多数载流子耗尽状态 3） 少数载流子反型状态 (2) 载流子浓度 体内：EC，Ev 空间电荷区 ：;V(x)0，能带向下弯 V(x)0，能带向上弯;表面处X=0 ， V(x)=Vs; VG0，金属接负，半导体接正 VS为负，能带上弯 将这种多子浓度高于体内平衡浓度的表面层叫多子堆积层，称此时的表面空间电荷层处于多子堆积状态。;(2) VG=0，VS=0，能带是平坦的 表面电荷为0，称这种状态为平带状态。;I;（4）VG0;电子;VG变化 ? VS变化? 能带弯曲? 电荷分布变化 VG0, VS0 VG=0 VG0 VG0 多子堆积 平带 多子耗尽 反型少子堆积;E;x;E;1) VG0 , VS0 表面处能带下弯，表面多子－电子浓度增加，表面层内出现电子堆积 2) VG=0，VS=0 平带。理想MIS结构，表面能带不弯曲，此时Qs=0，E=0。 ) VG0，VS0 表面处能带向上弯，越接近表面，Ec离EF越远，导带中电子浓度越低，表面多子耗尽，正电荷浓度近似为电离施主浓度。电子势垒多子耗尽 4) VG0 表面能带向上弯曲，表面处EF低于Ei，空穴浓度超过电子浓度，表面处形成了p型材料，导电类型与体内相反，叫反型层。反型层发生在近表面处，从反型层到半导体内部还夹着一层耗尽层。半导体空间电荷层内的正电荷由两部分组成，一部分是耗尽层中已电离的施主正电荷，一部分是反型层中的空穴。;Ec ;§5-3 MIS结构的C-V特性;Qs表面的电荷面密度 C0绝缘层电容，Cs为半导体空间电荷区电容 上式表明MIS结构电容相 当于绝缘层电容和半导体 空间电荷层电容的串联， 由此可得MIS结构的等效 电路：; n 型半导体MIS结构的电容－电压特性;2．表面空间电荷区的电场和电容; 对于均匀掺杂的p型半导体，假设空间电荷区的空穴已全部耗尽，处于耗尽状态，空间电荷层的电荷全由已电离的受主杂质NA构成。半导体的掺杂是均匀的，则空间电荷区的电荷密度： ?(x)=- qNA 设xd为耗尽层的厚度 在表面处：V=VS，得到x=0处的表面势： — 称为F函数; 表面的电荷面密度Qs与表面处电场强度的关系： 金属为正时，VG0，QS为负号 金属为负时，VG0，QS为正号;p型半导体 VG0 ∣ Vs ∣↑,Cs ↑∵ C0/Cs随∣Vs∣↑而→0， ∴C/C0→1，C→C0; 随|VG|?积累的空穴越来越少，CS?，C/C0? (2) VG=0，平带情况VS=0 ∴Es=0，QS=0 随VG?，VS?，xd?，CS?，? 总容量C?，C/C0?;(3) VG0，金属接+，半导体接- VS0，表面能带下弯，是空穴的势垒 ;VS?，少子积累越多，ns?，Cs