设计共源共栅电流镜精编.doc

模拟cmos实验报告 PAGE  PAGE 11 设计共源共栅电流镜 1、课程设计的目的 熟悉软件使用，了解Cadence、Hspice等软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路版图实现所给要求。 2、课程设计题目及要求 2、1课程设计题目： 低输出电压高输出电阻的电流镜设计。 2、2课程设计要求： 1、电流比 1：1。 2、输出电压最小值 0.5V。 3、输出电流变化范围 5～100UA 3、课程设计报告的内容 3、1确定电路拓扑结构 其中：每个MOSFET的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4. 通过大信号直流工作点分析和小信号等效电路分析（对不起，这部分分析是电路设计的基础，希望大家看相关的资料，这里就不详细展开了。），可以知道该电路的特点如下： 1.小信号输入电阻低（～1/gm1） 2.输入端工作电压低（） 3.小信号输出电阻高（） 4.输出端最小工作电压低（） 3、2 设计变量初始估算 3、2、1 确定(W/L)1、（W/L）2 为了计算设计变量，我们有必要了解电路MOSFET的工作状态，为了使输出端最小工作电压小于0.5V, 令：MN3管工作于临界饱和区（即：=0.5V），而MN1、MN2管随着输入电流从5UA变到100UA的过程中先工作在过饱和区最终工作在临界饱和区，同时令：当MN1、MN2工作在临界饱和区时。为了使MN1、MN2工作在饱和区，则必须：(以MN2为例计算) , 为了后面HSPICE仿真时能够深刻地体会到调整W/L的必要性,这里取：(W/L)1=(W/L)2=27。 3、2、2 确定(W/L)3、（W/L）4 从MN3管的角度来考虑问题，当＝100UA时，为了使MN2管工作在临界饱和区，的电压降不可以过大，即： 又MN3管工作于临界饱和区，则： 为了后面HSPICE仿真时能够深刻地体会到调整W/L的必要性,这里就取：(W/L)3=(W/L)4=27。 3、2、3确定(W/L)B 为了节省面积，和设计的方便，取(W/L)B=1 3、2、4确定IB 在确定IB前要先计算,根据衬偏效应可以得到: 因为MN3工作在临界饱和区，所以： 又MNB管工作于MOS二极管状态： 3、2、5 确定沟道长度L 对沟道长度的约束有： 1． 一定的下，要使较大，则要取较小的值，即L要取较大的值。 2．短沟效应，要求L取较大的值。 3．沟道调制效应，要求L取较大的值。 4．匹配性，要求L取较大的值。 5．可生产性，要求L取较规整的值。 6．寄生性，要求L取较小的值。 7．最小的版图面积，要求L取的较小的值。 8．工业界的经验要求：L=5倍的特征尺寸。 综上所述，版图设计中取 3、2、6 验证直流工作点 MNB：二极管连接确保它工作于饱和区。 MN3：工作于临界饱和工作区。 MN1、MN2：当,它们工作于临界饱和区；当减小时，减小且增大，使它 们工作在过饱和区。 MN4：要使MN4管工作于饱和区，则： 而,显然上式成立。即MN4工作于饱和区。 3 HSPICE仿真验证 3、3、1旨在调整设计变量的仿真： 1、电路拓扑结构节点命名： 其中：每个MOSFET的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4. 2、按初始估算设计变量仿真 采用初始估算的设计变量，即：(W/L)1=(W/L)2=(W/L)3=(W/L)4=81UM/3UM; (W/L)B=3UM/3UM;IB=20UA，同时调整RL＝44.7KOHM，使MN3进入临界饱和。 仿真输入：该电路的HSPICE仿真网表文件为：cascode_current_mirror_01.sp,文本如下： enhanced minmum output voltage cascode current_mirror **********************file_header**************************** *file_name:cascode_current_mirror_01.sp *author :wangq*date :Oct.16,2006 *log :none *version :1.0,Oct.16,2006 **********************end_file_header************************ **********************library******************************** .include D:\e0___exercise\analog_cmos_ic_design\B00___lib\hua05.sp **********