第5章硅外延生长导论.pptVIP

* P型杂质的主要来源是SiCl4,金刚砂磨料,基座和系统的沾污,只要提高SiCl4纯度及做好外延前清洁处理就可以解决。这主要是高温下，硼在硅中的扩散比锑快 * 目前对它们的认识和研究有的比较清楚，有的还不很清楚。下面分别加以介绍。 表面缺陷根据其形状.尺寸.构造.成因不同分为许多种，名称也不统一，现将几种常见的缺陷介绍如下： * 另外如系统不洁净带入些圆球形杂质。它们滚落到生长表面上也会形成有头有尾的划痕。 * 层错：晶体中某些地方原子按层排列的次序发生了错乱而引起。 * 由外延层横截面可以看出 这个关系在生产上可用来做外延层厚度的估算。 * 可是层错密度减少到102cm-2以下。这是消除层错最有效的方法。 * 当这两种杂质原子掺入的比例适当时，可以使应力相互得到补偿，减小或避免发生晶格畸变。 * 结果使外延层中有害杂质和微缺陷减少，器件的成品率得到提高，电学参数大大改善。 * 在本节简要的介绍这两种技术。 衬底对外延层的沾污； * * 自掺杂效应：衬底中的杂质进入气相中再掺入外延层。 * * 双栅SOI,降低短沟道效应，适合小尺寸器件;两个栅共同控制沟道呀 ;可以有效抑止漏端电力线向沟道区中穿透 * * Si是间接带隙材料，Eg一定，使它在光电领域的应用受到限制，近年来开展了在Si衬底上外延生长SiGe和III-V族化合物材料及器件制作的研究，取得了相当大的进展形成了Si基半导体的研究领域。 * 虽然液态Si和Ge可以连续互溶，但其固液相线劈裂很大，制备组分均匀的单晶是困难的。 * 一般可先采用Si外延清洗衬底的方法处理，将衬底处理干净 防止衬底进入预处理室前SI表面的沾污， RHEED(反射高能电子衍射) reflection high-energy electron diffraction * 以上4种制备SOI材料的方法各有所长，用户可以根据不同的材料要求，选择不同的制备方法。 SDB法通常用于制取厚埋氧层材料，其硅层的厚度取决于硅片减薄技术的进展。早期该技术只能制备厚硅层材料，后来随着BE（Back Etch） Bonding技术和CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术的发展，也可以用于制备极薄的顶层硅（0.1μm ）。 而SIMOX法由于氧注入条件的限制，只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料。要获得厚的硅层，必须再进行外延，即采用ESIMOX法。 而Smart Cut法由于采用了键合工艺，则最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料。 ELTRAN法的适用范围最宽，可根据用户要求，提供从几十纳米到几十微米的硅层和埋氧层。 * §5-5-3 SiGe/Si ? 研究进展 Si材料上异质生长SiGe/Si结构材料，可灵活运用能带工程进行能带剪裁制作Si基量子结构器件。 与成熟的Si微电子工艺兼容，利用SiGe/Si制作的异质结 双极型晶体管（HBT）已实用化. 利用Si5Ge5/Si的短周期超晶格的布里渊区的折叠效应，可获得准直接带隙结构材料，有望作出高效率的发光和激光器件。 * ? SiGe/Si材料的生长方法: （1）气体源分子束（GSMBE）； （2）固体源分子束（SSMBE）； （3）超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）。 GSMBE 和UHV/CVD方法都是用气体作生长源，差别是外延时生长室的气压不同。UHV/CVD生长时气压比较高，GSMBE生长时气压低些。 * ? 生长源 UHV/CVD和GSMBE生长SiGe/Si时Ge源一般用GeH4，Si源主要有SiH4和Si2H6。 Si（100）衬底上Si2H6比SiH4有更高的反应吸附几率和更低的反应能，利于实现低温生长，用Si2H6易于生长出高质量的SiGe材料。 * ? 生长步骤 1. 对Si衬底进行清洗； 2. HCl：H2O2：H2O=1：2：7溶液或其它溶液处理，目的是在Si的表面上形成一层薄而清洁的SiO2保护层; 3. 送入预处理室，300 ℃下除气几小时; 4. 送入生长室，温度提高到850 ℃下脱氧10分钟（脱氧效果可用RHEED观察）; 5. 脱氧后温度降到650 ℃ ，按组分x调整Si2H6和GeH4源的比例通入生长室生长组分为x的Si1-xGex/Si。 * 外延生长(通常亦简称外延)是半导体材料和器件制造的重要工艺之一，它的应用和发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都具有重要意义。 所谓外延生长就是在一定条件下，在经过仔细制备的单晶衬底上，沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。所生长的单晶层称为外延层。 * 为集成电路和结