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CdTe Thin Film Solar Cell
朱 博 S吴守良 S姚洪林 S李喜玉 S主讲：
组员：
CdTe Thin Film Solar Cell
朱 博 S吴守良 S姚洪林 S李喜玉 S主讲：
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CdTe薄膜太阳能电池结构
CdTe吸收材料的特征
CdTe半导体材料是直接禁带半导体。
具有与太阳光谱可完美匹配的理想带隙（1.45eV）
CdTe的吸收系数非常高，与Si相比，为了充分吸收入射光，需要几百个μm厚的Si层，但CdTe只需要几个μm的厚度。
这可以通过CdTe和Si能带结构来解释， Si是间接带隙的半导体。
CdTe吸收材料的特征
CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜
基本过程
坩埚中CdTe源经加热升华，分解为气态的Cd与Te2
Cd 和Te2从源扩散到衬底。
Cd 和Te2反应在衬底表面形成CdTe薄膜。
CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜
CSS装置单元
CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜
CSS装置单元由一个可水平移动的衬底加热台和一个可以动的坩埚组成。坩埚中含有需要沉积的材料，两者均用卤灯加热。
其沉积过程有三个步骤：
1.加热：使两个窗口中的任意一个覆盖在坩埚上，加热坩埚和样品到所需温度。
2.沉积：快速将坩埚移动到样品的正下方，进行沉积。
3.冷却：沉积完毕之后，将坩埚进一步移动到另一个窗口下，在此位置二者进行冷却。冷却完毕，取出样品。
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