低温多晶硅TFTLCD制作技术的发展与趋势.docVIP

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  • 2016-08-05 发布于重庆
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低温多晶硅TFTLCD制作技术的发展与趋势.doc

低温多晶硅TFTLCD制作技术的发展与趋势

低温多晶硅TFT-LCD制作技术的发展与趋势 newmaker 摘要 人类正在进入信息时代,在这一时代,作为显示技术,薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)越来越被市场看好,因为该技术具有低功耗,高分辨率等优点。TFT-LCD可分为非晶硅(a-si)与多晶硅(p-si)以及单晶硅(s-si)等型,相比之下,p-siTFT-LCD更能克服电源的不稳定以及对大规模集成电路(LSL)的依赖,从而能大大降低成本,所以p-si TFT-LCD成了目前研制与开发LCD的主流。 一、前言 依据加工的温度,p-si TFT又可分为低温与高温TFT(LTPS-TFT与HTPS-TFT)两类。由于加工的温度不同,用它们制作的TFT-LCD便有着如表1所示的差异。从表1可以得知LTPS TFT-LCD器件要比HTPS TFT-LCD器件具有更低的成本,更简明的工艺和更大的应用范围,因而近来得到了广泛的研究与发展。 表1 LTPS与HTPS TFT-LCD的比较 二、LTPS TFT-LCD技术的回顾 对LTPS TFT-LCD技术的研究起始于上世纪80年代中期:1984年,4.32cm屏对角线的产品问世;1996年,6.35cm屏对角线的产品问世;1998年,日本东芝公司开始批量生产LTPS TFT-LCD器件,其尺寸已达38.1cm,分辨率也达到了UXGA级。 表2 两种门结构的T

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