半导体物理学-第2章研讨.ppt

Prof.LEI 半导体物理Semiconductor Physics 雷天民 西Ⅱ-206 leitianmin@163.com §2.6 电阻率与杂质浓度和温度关系 2.6.3 电阻率与温度的关系 温度很低时，本征激发可以忽略，散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大，电阻率随温度升高而下降。 温度较高时，杂质已全部电离，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，电阻率随温度升高而增大。 高温及本征激发成为矛盾的主要方面时，电阻率又由本征载流子浓度决定，并随温度急剧下降。 对于纯的本征半导体，电阻率主要由本征载流子浓度决定，电阻率随温度增加而单调地下降。 对于杂质半导体，既有杂质电离和本征激发两个因素，有杂质散射和晶格散射两种散射机构存在。 §2.7 强电场中的载流子输运 2.7.1 强电场效应 强电场下电流密度与电场强度的关系偏离欧姆定律的现象，即迁移率随电场的增加而变化，这种效应称为强电场效应。 实验表明： 在外电场 E 不很强时，载流子迁移率是一常数，平均漂移速度?D＝μE，欧姆定律成立。 当电场超过一定强度后， ?D与 E 的关系偏离欧姆定律，即迁移率不再为一个常数。平均漂移速度随外电场的增加，速率开始变缓，最后趋于一个不随场强变化的定值，称为饱和漂移速度。 §2.7 强电场中的载流子输运 速度饱和效应 负微分迁移率效应 强电场下偏离欧姆定律的两种典型情况: §2.7 强电场中的载流子输运 2.7.2、热电子与速度饱和 一、载流子的温度与迁移率 低电场时，载流子主要和声学声子作用！载流子从电场中获得能量，随后将能量以声子的形式传给晶格，达到稳定状态时，载流子与晶格系统处于热平衡状态，具有相同的热力学温度； 在强场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，在与晶格散射时，平均自由时间缩短，因而迁移率降低。由于载流子的平均能量比热平衡状态时的大，载流子不再与晶格系统保持热平衡，此时的载流子称为热载流子。但是，当场强进一步增强，载流子的能量高到散射时可以发射光学声子，载流子从电场中获得的能量大部分又消失，平均漂移速度达到饱和。 由于温度是平均动能的量度，所以引入Te表示热载流子的有效温度，显然热载流子温度高于晶格温度Tl。如果用μ0表示低场时的迁移率，则强场迁移率μ为 §2.7 强电场中的载流子输运 当电子和晶格处于热平衡时，Te=TL，所以μ=μ0；在非热平衡状态，因TeTL，则μμ0。 二、热载流子效应 热载流子（具有高能量）在输运过程中的行为与热平衡状态下的载流子有明显不同，主要表现在 非线性的速度-电场关系：Si等速度饱和，GaAs等负阻； 碰撞电离：与晶格碰撞，使原子电离产生电子-空穴。 迁移率与平均自由时间成正比，而平均自由时间与载流子运动速度有关。 1）弱电场时： 定性分析： 即：平均漂移速度与外电场呈线性关系！ §2.7 强电场中的载流子输运 2）较强电场时： 即：平均漂移速度随外电场的增大而缓慢增大。 3）强电场时： 即：平均漂移速度与外电场无关。 §2.7 强电场中的载流子输运 电场足够强，电子在单位时间内从电场获取的能量高到可以通过发射光学声子与晶格交换能量时，则 稳定状态下，电子在单位时间内损失的能量应与从电场获取的能量相等，即 §2.7 强电场中的载流子输运 2.7.3 负微分迁移率 特点：漂移速度在达到极大值后随电场的进一步增强而下降， 这时相应的微分电导率(或迁移率)是负的。 一、砷化镓的能带特征 Γ能谷：电子有效质量为：0.067m0； 电子迁移率为：μn0=8000cm2/V·s L能谷：电子有效质量为：0.55m0； 电子迁移率为: μn1=100cm2/V·s 当温度不太高、电场不太强时，导带电子集中分布于主能谷! §2.7 强电场中的载流子输运 二、强电场下电子的谷间转移 若用n1、n2和 ?1、?2分别表示主能谷和子能谷中电子的密度和迁移率，则x = n2 /(n1+n2)即为子能谷中电子在总电子数中所占的比例，称作转移比。 强电场下，主能谷中的电子因从电场获得足够高的能量而开始向子能谷转移，发生不等价的谷间散射。 §2.7 强电场中的载流子输运 三、负微分迁移率材料的能带特征 能够在强电场下发生负微分迁移率现象的半导体，其能带结构应具有如下三个特征： 1) 导带存在电子的子能谷； 2) 子能谷与主能谷的能量差?E远小于禁带宽度Eg而远大于室温kT； 3) 电子在子能谷中的有效质量大于其主能谷中的有效质量。 除GaAs以外，还有InP、InAs、CdTe、ZnSe等化合物半