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mos1ex07.in : Breakdown Voltage Extraction击穿电压 This is an ATHENA/DEVEDIT/ATLAS interface example simulating the breakdown voltage of an NMOS transistor. This example demonstrates: ? Process simulation of a MOS transistor in ATHENA? ? Process parameter extraction (eg. oxide thicknesses)? ? Autointerface between ATHENA and DEVEDIT? ? Remeshing using DEVEDIT? ? Autointerface between DEVEDIT and ATLAS? ? Solution for a Vds ramp with Vgs=0.0V to get breakdown 这是一个ATHENA DEVEDIT的/ ATLAS系统接口例如模拟一个NMOS晶体管的击穿电压。这个例子说明： ? 过程模拟的MOS晶体管在ATHENA? ? 工艺参数提取（如氧化层的厚度）? ? ATHENA和DEVEDIT之间autointerface? ? 网格重划使用DEVEDIT? ? autointerface之间DEVEDIT和ATLAS? ? 解决的坡道获得击穿与VGS = 0.0V 过程模拟，工艺参数提取和电极定义为这个例子完全一样，在本节中的第一个例子。 碰撞电离效应的ATLAS模拟电网的要求比前面所述的低电场的情况下更严格的，。DEVEDIT用于ATHENA结构的重新划分网格，然后再进行ATLAS。前面的例子在本节中所述的网格再划分命令。 ATLAS模拟包含类似的语法简单的例子，在本节前面所述。模型，接触和接口参数是相同的，除了使用浓度依赖的生殖健康模式。这提供了一个更准确的模拟预击穿漏电流。Selberherr影响电离模型也被选中。 在方法声明中，两个参数是选择限制使用目前的收敛标准图集。由于预击穿漏电流非常低，有必要收紧对当前的收敛公差。参数设置方法climit的= 1E-4网格是不是只要在这里使用一个紧的情况下，建议。 解决语句序列显示了在漏极电压斜坡。采取小步骤在第一，但主要的模拟在0.5V步骤完成。设置漏一个遵守5.0e-8A/um限制。遵守限制击穿模拟停止模拟，一旦崩溃点到达。 这里使用的值可能在测量中使用的典型值相比似乎相当低。这是一个简单的CPU时间的问题。模拟运行到微安或毫安范围是可能的，但获得额外的信息通常是不值得的CPU时间花费。没有解决方案将成为可能，一旦电压超过击穿电压。ATLAS将削减电压步，并再次尝试。它导致最低的步骤（0.5）^ 4或0.0625V这四次。这是足以解决大多数的击穿电压。它可以为用户坡道使用较小的电压步骤，使用目前的边界条件或曲线追踪IV曲线，以进一步追查到更高的电流值。然而，这通常是没有必要。可能需要多少额外的CPU时间和击穿电压值保持在由模拟预计的准确性。骤回和曲线跟踪的例子表明，在其他章节。 用来测量击穿电压提取?语法是当前的搜索类型。这是首选，因为它提供了更一致的结果，可用于简单的最大（诉“漏”）语法。 加载和运行这个例子，选择的负载例如在DeckBuild中的按钮。这将复制输入文件到当前工作目录和任何支持文件。选择运行按钮来执行的例子。 go athena # line x loc=0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.01 line x loc=0.5 spac=0.01 # line y loc=0.00 spac=0.008 line y loc=0.2 spac=0.01 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=0.8 spac=0.15 # init orientation=100 c.phos=1e14 space.mul=3 #pwell formation including masking off of the nwell # diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3 # etch oxide thick=0.02 # #P-well Implant # implant boron dose=8e12 energy=100 pears # diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3 # #N-well implant not shown - # # welldrive sta