SiC发展制备简介课件.pptxVIP

半导体SiC材料 发展历史简介 基本制备方法 --体单晶生长 --薄膜生长 SiC半导体的优势 SiC的发展历史 1824--瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC 1885--Acheson第一次生长出SiC 晶体 1907--英国电子工程师Round制造出了第一支SiC 的电致发光二极管 1959--荷兰Lely 发明了一种采用升华法生长高质量单晶体的新方法 1978-- 俄罗斯科学家Tairov 和Tsvetkov 发明了改良的Lely 法 1979--SiC蓝色发光二极管 1981-- Matsunami 发明了Si 衬底上生长单晶SiC 的工艺技术 1991--Cree Research Inc 用改进的Lely法生产出6H-SiC 1994--获得4H-SiC 晶片 美国Cree公司，1997年实现2英寸6H-SiC单晶的市场化，2000年实现4英寸6H-SiC单晶的市场化 2007 年 5 月 23 日?，Cree 展示 100 毫米零微管碳化硅基底 2007 年 10 月 15 日?，Cree 发布商业化生产版的 100 毫米零微管碳化硅基底 2010 年 8 月 30 日?，Cree 展示高品质的 150 毫米碳化硅基片 SiC的基本制备工艺 体单晶生长 Acheson法（石英砂+C） 尺寸很小的多晶SiC Lel