《硅抛光片表面颗粒测试方法》编制说明.doc-中国有色金属标准质量.docVIP

国家标准《硅）Haze(雾)。 因此现在的SSIS已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。更多的还是颗粒或者COP。习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。在标准名称上我们也沿用了这一习惯。 由于本方法本身是相对测量，且晶片表面的外来的凸起颗粒、晶体缺陷或加工中带来的凹坑、划痕等等各种缺陷都会带来入射光的散射、反射；而不同厂家、不同型号或不同级别的检测设备在设计、结构、信号处理等各个方面的差异都可能反映在检测结果上。因此如何保证测量的重复性、保证测量结果的相对准确性以及各个厂家、不同类型的颗粒仪进行比对变成了当前迫切需要解决的问题。现行标准已有十年的标龄，检测设备的不断发展改进，也使得测试方法中的部分适用范围、干扰因素、参考样品、校准方法、测量步骤及重复性、准确性等都需要修订。因此迫切需要修订原标准，使之保持先进性，对实践起到指导作用。 关于抛光片表面颗粒的测试，在SEMI 标准中没有同样的标准可以直接参照。SEMI是将表面缺陷测试分为四块工 SEMI M35 《自动检测硅片表面特征的发展规范指南》。主要对颗粒、COP 、划伤、外延缺陷包括堆垛层错等缺陷的测试原理、鉴别特征做了定义和描述，并对各种缺陷的鉴别以及对测量的影响因素进行了讨论。 SEMI M53 《采