第一章固体照明技术分析.ppt

LED 发光器件 谭永胜 绍兴文理学院 微电子学实验室 实验室：综合实验楼B1207 Tel（651833） E-mail：tanysh@usx.edu.cn 参考书 《固体照明导论》茹考斯卡斯 等著，黄世华译 化学工业出版社 《半导体物理学》教材第9、10两章 《现代半导体发光及激光二极管材料技术-进阶篇》史光国 全华科技图书有限公司 《白光发光二极管制作技术》刘如熹 主编．全华科技图书有限公司印．1991 课程内容 第一章 固体照明概述 照明技术变迁、照明光学、LED基本原理及应用 第二章 LED的光取出原理及方法 LED的光取出原理及各种改进方法 第三、四、五章 红、绿、蓝、近紫外等高功率LED Seminar模式 课程内容 第六章 白光LED 基本考虑及各种制备方法 第七章 荧光粉、LED封装与散热 要求和考试 预修课程：半导体物理、半导体器件物理、集成电路工艺原理 作业+平时考勤=总成绩的20% 考试方式：闭卷考试 第一章 固体照明概述 照明技术的变迁 LED基本原理 照明技术基本参数 传统白炽灯的光效极低 500K钨丝没有可见光。 1000K时才产生波长600nm以上的红光。 即使是可见光，人眼感觉的亮度差别也很大。 30年代，荧光灯将电光源带入新天地 高压放电灯光谱 LED:第四代照明技术 LED的发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w 1968年利用半导体掺杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w LED的发展历史 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟，发光效率达到 40—50 lm/w 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效率为0.04 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，到目前仍然为该技术 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片 常用电光源发光效率对比 白光LED的价位目标 LED产业的“摩尔”定律 “就像半导体行业的摩尔定律一样，LED行业也有一个Haitz定律——Haitz’s Law。 根据Haitz定律，LED亮度约每18-24个月可提升一倍，而在往后的10年内，预计亮度可以再提升20倍，而成本将降至现有的1/10。 世界上有关国家白炽灯的禁用时间表 LED晶片，在蓝宝石、SiC或硅衬底上外延生长。 典型的LED晶片示意图及物理参数 产品特性 通过封装将LED晶片制成各种芯片、光源。 各种LED灯具产品 中国LED市场应用需求预测(单位:亿个)资料来源:CCID(2010.06) 第一章 固体照明概述 照明技术的变迁 LED基本原理 照明技术基本参数 LED 的发光原理 LED发光是半导体pn结的注入发光，而半导体发光的本质是电子与空穴的辐射复合。 (a)辐射复合 （b)非辐射复合 对于本征半导体，其发光特性取决于材料的能带类型及禁带宽度。 有杂质能级参与的辐射跃迁 通过在间接带隙半导体中引入某些杂质能级，形成发光中心，能有效提高其辐射效率。 PN结正向偏压下，注入的载流子在结区复合发光。 LED的发光效率ηR ：光输出功率与光输入功率之比。Pout=Pin×ηR ηR=ηext×ηv 其中，外部量子效率ηext ，是输出光子数与电子空穴对的注入数之比， ηv为电压效率 。 ηext=ηint×Cex 内部量子效率ηint ，是产生光子数与电子空穴对的注入数之比。 Cex为光取出效率，是产生的光子输出到芯片外的效率。 故ηR= ηint×Cex ×ηv，即要提高LED的发光效率，得同时提高其内部量子效率、光取出效率和电压效率。 ηv=hf/qV 实际LED为提高电压效率需要重掺杂，以减少电阻、阈值电压和临界电流。 ηint取决于辐射复合与总复合的比率，重掺杂使发光中心浓度远大于无辐射复合中心浓度。 LED的I-V特性曲线可反映其阈值电压，临界电流，功率等参数，借助光学测试可反推出内量子效率。 同质pn结： 低注入效率导致低增益和大的临界电流。 高再吸收导致低光取出效率和低外部量子效率。 宽活性层导致宽发射光谱分布。 对GaAs，un/up高达20左右，因此发光主要集中在p区。 异质结能带结构。 异质结注入：大注入比，窄带发光，宽带窗口。 单异质结 AlGaAs层的作用：阻止注入电子的继续深入，提高增益；减少对光的吸收。 双异质结： 高注入效率 低再吸收 窄而强的光谱 完