电力7.pptVIP

* 第7章 全控型电力电子器件 门极可关断晶闸管、 电力晶体管、 电力场效应晶体管 绝缘栅双极型晶体管 §7.1 门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor——GTO）也是晶闸管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的容量水平达6000A/6000V，频率为1kHZ 1. GTO的结构和工作原理 G K G K G N2 N1 N2 P2 P1 A G K A 与普通晶闸管 的相同点 PNPN四层半导体结构 外部引出阳极、阴极和门极 与普通晶闸管 的不同点 内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元的多元功率集成器件 GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起 GTO也可等效成两个晶体管P1N1P2和N1P2N2互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益α1+α2数值不同。晶闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO的α1+α2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。 GTO的关断机理： 在SCR的双晶体管等效模型中，利用门极负电流分流IC1，并快速抽取V2管发射结两侧存储的大量载流子，以实现快速关断。 GTO关断时，随着阳极电流的↓，阳极电压逐步↑，因而关断时的瞬时功耗较大，在电感负载条件下，阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断功耗尤为突出。 由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。 在工艺结构上比SCR有两点改进： 等效晶体管的电流放大倍数减小，经正反馈导通后接近临界饱和状态，有利于减小关断时间和提高开关频率。 采用多GTO单元并联集成结构， 门极和阴极间隔排列，使P2基区 载流子均匀快速地从门极抽出， 也不易造成局部过热，di/dt耐量增大。 G K G K G N2 N1 N2 P2 P1 A 开通过程: 需要经过延迟时间td和上升时间tr。开通时iG为正脉冲，触发导通后门极电流可以撤除。 关断过程: 从iG的负脉冲开始分为三段，需要经历储存时间ts，从而使等效晶体管退出饱和状态；下降时间tf阳极电流逐渐减小；最后还有尾部时间tt,使残余载流子复合。 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长，即。门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts就越短。使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍能保持适当的负电压，则可以缩短尾部时间。 延迟时间td 上升时间tr 开通过程 储存时间ts 关断过程 下降时间tf 抽取饱和导通时储存的大量载流子的时间 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小时间 tftstt GTO的 动 态 特 性 残存载流子复合所需时间 尾部时间tt GTO的主要参数 最大可关断阳极电流IATO 即额定电流。而普通晶闸管用通态平均电流来标称其额定电流。 电流关断增益?off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比 即 ?off=IATO/IGM 。 ?off一般很小，只有5左右，主要缺点。 比如，一个1000A的GTO，关断时门极负脉冲电流的峰值要200A，这是一个相当大的数值。 开通时间ton 一般较短，约数?s 关断时间toff 关断时间一般比开通时间ton长许多。 GTO的主要优缺点： 优点：电压电流容量大（比SCR略小）兆瓦级以上；开关速度比SCR高得多。 缺点：关断电流增益小，门极负脉冲电流大，驱动较困难；通态压降较大。 不少GTO都制造成逆导型，无反向阻断能力。当需要承受反向电压时，应和电力二极管串联使用。 §7.2 电力晶体管GTR GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管）。电流驱动型全控器件 。 GTR的结构：GTR通常采用多单元并联集成工艺的达林顿（Darlington）复合结构，。单管GTR的?值较小，通常为10左右，采用达林顿复合接法可以有效地增大电流增益。比如两级复合的达林顿管，?=?1·?2。 达林顿复合使二重复合GTR的导通压降为： 单管临界饱和压降约为0.7~1V，则二重复合GTR的UCES大致为1.4~2V。三重复合时可达2~3V。导通压降的升高会使GTR的通态损耗大为增加。 7.2 电力晶体管（Giant Transistor—GTR） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管 （Bipolar Junction Transistor——BJT 1. GRT的结构和工作原理 P 基区 N 漂移区 衬底 集电极c 基极b 发射极e 基极b c b e 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、