zns基纳米荧光粉体的设计与合成研究.pptVIP

一.实验目的 1.巩固纳米粉体设计与合成的基本原理与方法。 2.掌握液相共沉淀法纳米粉体合成设计与制备的技术； 3.了解ZnS基纳米荧光粉体合成原理与方法。 二.实验原理 1.发光原理 Ⅱ-Ⅵ族化合物（如:硫化锌、硒化锌等）是典型的直接带隙、短波长半导体材料，具有较宽的带隙，有利于光的吸收和发射。 ZnS的禁带宽度为3.66 eV。0 K时，ZnS体材料的带隙为325 nm。室温(23℃)下，由于热平衡声子的填充，其有效带隙为339 nm。 ZnS的能带结构特点，使之成为很好的发光材料基质。 2.Mn2＋掺杂ZnS的发光性能 ZnS:Mn2+材料用为323nm激发时，发射峰处于585m为单一发射。但是在451nm和470 nm处有很小的峰值，两处的峰值为ZnS基质的缺陷发射。 ZnS:Mn2+发橙色光，主要来自Mn2+的4T1－6A1特征跃迁。 3.Mn2+掺杂能级分析 未掺杂的ZnS纳米微晶主要辐射复合的途径为经由ZnS表面态跃迁，主要为深电子阱的缺陷发射，为蓝色发射 。 4.ZnS晶体中Mn2＋能级变化 Mn2+的电子组态为3d5，基谱项为6S5/2。 根据宇称选择定则， d5组态内的电偶极跃迁是禁阻的。 Mn2+掺入ZnS的晶体中，在晶体场的作用下4G分裂为4T1、4T2、4A1、4E等，基态6S以6A1，从而使6A1－4T1的跃迁成为允许跃迁。 4T1－6A1过程为Mn2