2010年春季模电期中试卷答案.docVIP

北京邮电大学自动化学院 2009-2010年度春季学期模拟电子技术期中考试试卷 考试课程 模拟电子技术 考试时间 2010年 5月 8日 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷教师 填空题（本题15分，每空1分） 半导体中存在两种载流子：带负电的 自由电子 和带正电的 空穴 。 PN结的击穿类型分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，其中齐纳击穿是在 内 电场的作用下产生的，而雪崩击穿是在 外 电场的作用下产生的。 晶体管单管放大电路的三种接法： 共射 、 共集 、 共基 。 同一种导电类型的BJT构成复合管时，应该将前一只管子的 射 极接至后一只管子的基极。 BJT放大电路的静态工作点过高可能引起 饱和 失真，过低则可能引起 截止 失真。分压式偏置电路具有自动稳定 静态工作点 的优点。 研究RC低通电路的频率响应的目的在于：它是和模拟放大电路的 高 频响应类似的。对于RC低通电路的频率响应，主要是研究其 高 频特性。 已知某放大电路由三个单级放大电路组成，已知每级电压放大倍数为40ｄＢ，则总的电压放大倍数为 120 ｄＢ，相当于 106 倍。 选择题（本题15分，每空2分） 1．本征半导体电子浓度（ C ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ A ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ B ）空穴浓度。 A：大于；B：小于；C：等于。 2．场效应管属于（ A ）控制型器件，BJT三极管则属于（ B ）控制器件。 A：电压；B：电流；C：电感；D：电容。 3．BJT三极管工作在放大状态时，应使发射结（ A ）偏置；集电结（ B ）偏置。 A：正向；B：反向；C：零向；D：随便。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。 A：变窄； B：基本不变；C：变宽。 5．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ）。 A：杂质浓度；B：温度；C：输入；D：电压。 6．稳压管构成的稳压电路，其接法是（　C　）。 A:稳压二极管与负载电阻串联　 B:稳压二极管与负载电阻并联。 C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 为了获得输入电压中的低频信号，应选用（　A　）滤波电路。 A：低通；B：高通； 多级放大电路的通频带同自身某一级的通频带相比要（　B　）。 A：宽；B：窄； BJT放大电路的低频响应主要是由（　A　）对交流信号的衰减作用。 A：耦合电容和旁路电容的电容效应；B：发射结和集电结的电容效应； 三、简答题（共10分，每小题5分） 1. 写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V。 2. 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？ 解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。 计算题（共45分） 1、电路如图所示，晶体管的(＝80，rbe=1kΩ。(15分) （1）求出Q点；(5分) （2）画出微变等效电路，分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的o和Ri；(8分) （3）求出R。(2分) 1、解：（1）求解Q点： （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时 RL＝3kΩ时 （3）求解输出电阻： 2、电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。(10分) 解：、Ri和Ro的表达式分别为 3、设如下图所示的电路的静态工作点合适，请画出它们的交流等效电路，并写出、Ri和Ro的表达式。（10分） 解： 4. 已知如下图所示的共射放大电路静态工作点合适，NPN型的BJT三极管工作在放大状态。已知三极管的共射电流放大系数为(，已知三极管的发射结管压降为。电路中所标出的电阻阻值、电源电压均为已知量。(10分) （1）试求出如下图所示电路Q点。(5分) （2）写出、Ri和Ro 的表达式。(5分) 解：Q点为 、Ri和Ro的表达式分别为