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無機書報作業討論 何謂FT-IR-ATR Ans：減弱全反射-傅立葉轉換紅外線光譜儀（ATR-FTIR）的原理是利用電磁波通過不同介質的界面，由於折射率的不同，電磁波會向較高折射率的一方彎曲，如果入射角較臨界角為大時，即發生全反射（total reflection）。若入射波通過介質後，在輻射波長下吸收了能量，使得反射波束所含的能量較入射波束能量少，由波長來觀察，將可產生一吸收光譜，此種現象即稱為減弱全反射（ATR）。而減弱全反射-傅立葉轉換紅外線光譜儀便是使用此方法來分析材料表面分子結構之振動行為；ATR反應裝置圖如圖所示。相較於一般古典的紅外線光譜儀，FTIR 提供更快速的測試速度，最準確的吸收光譜，更高的靈敏度（一般約為IR 的50倍以上甚或更高），所以能夠提供最廣泛的運用。 FT-IR-ATR的裝置圖 何謂H-aggregate，為何會有藍位移的現象? Ans：H-aggregateaggregate則是屬於face-to-tail的堆疊。當出現H-aggregate時，會有藍位移的現象發生；而J-aggregate會造成紅位移的現象發生。因為位移的現象跟電子躍遷有關係，關於電子被激發躍遷之後，能量需要被釋放，但因量子能階的限制，使得有些釋放的方式分為兩種形式： electroluminescent property 當共軛高分子之共軛環之間形成J aggregation 時，因為電子躍遷後的spin 不變， 電子易被激發到低的分裂能階，而以放光形式釋放能量，故易產生電放光的特 性，例如：PLED。 photovoltaic property 當共軛高分子之共軛環之間形成H aggregation 時，因為電子躍遷後的spin 不變， 電子易被激發到高的分裂能階，而放光形式被禁止，而使電子無法回到基底態， 而只能選擇電子轉移到其他原子來釋放能量，故易產生光發電的特性，例如： Solar Cell。 針對photovoltaic property的部份，在π-共軛高分子材料中，光子的被吸收會導致激子 exciton 的產生，也就是激發態 excited state ，這個類似粒子 quasi-particle 會擴散至材料中，像是再結合的過程 電子電洞對去建立激子 ，假如擴散的長度足夠長的話，因此激子 exciton 會受到內部場 internal field 的影響， 例如： 局部電場坐落在受體- 施體 acceptor-donor 的界面，之後電子與電洞會被分開 separation 往兩旁的電極，而我們可以用下列的公式去形容光電效應的過程， M n + hν → [ M z+ + M z?]n，其中M 表示被光子所激發的高分子的單體，而Z 是電子電洞對 electron-hole pair 的數目。基本上光轉換成電有幾個步驟： i 激子 exciton 的形成是由照光後光子所產生 photo-generation 的； ii 光所引起的電子的轉移會介於受體 acceptor 與施體 donor 之間，且發生在一個激發態 excited state ，因為受體的最低位被佔據的分子軌域 LUMO 的能階 energy level 會低於電子在施體的激發態的能階； iii 引起激子的分離 dissociation 在施體材料中，之後載子的衰退鬆弛 relaxation 而電洞會停留在價電帶 valence band ，這個過程之後，受體與施體會分別顯示帶正電 positive 與帶負電 negative 的電荷 charge 。由 ii 的原因就可以得知會發生藍位移的現象。 何謂DPV ? Ans：差式脈波伏安法 Differential Pulse Voltammetry，DPV ，差式脈波伏安法 Differential Pulse Voltammetry 所施加之電位波形圖，其電位施加方式是從一固定的初始電位 Ei 開始，週期性地將一固定振幅的脈波電位 pulse amplitude，ΔE 施加在一隨時間做線性增加的電位掃描線上，直到設定之末電位 Ef 為止，掃描電位稱為 base potential，施加脈波電位之週期稱為脈波週期 pulse period，T ，而脈波電位持續的時間稱為脈波寬度 pulse width，P ，然後分別在每一次施加脈波電位前 16.7 msec samping width，S1 與施加脈波電位結束前 16.7 msec samping width，S2 分別測量電流，而將這兩點所測得的電流值相減的電流差 Δi i2 – i1 即為偵測訊號。此種電位掃描方式最大的優點是能夠成功地消減背景電流，以提高訊號對背景電流的比值 S/N 。其方法是利用瞬間施加上脈波電位後，法拉第