半导体三极管检验培训.docVIP

三极管检验培训 一、三极管简介三极管的分类 特征频率fT 工作电压/电流 hFE VCEO PCM 封装形式 三工作原理主要作用主要参数工作状态放大电路 八、三极管管型的判别 三极管性能的简易测量 注意事项 三极管 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 一、三极管简介 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图，可有PNP和NPN两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出NPN与PNP三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为N型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个PN接面都会形成耗尽区，将中性的P型区和N型区隔开。三极管的电特性和两个PN接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forwardactive)，在此区EB极间的PN接面维持在正向偏压，而BC极间的PN接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一PNP三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的PN二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之PNP三极管为例，射极的电洞注入基极的N型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流INBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。INBE在射极与与电洞复合，即INBE=IErec。PNP三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。 3(a) 射极注入基极的电流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。三极管的操作原理和PNP三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和电洞的角色互易。PNP三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而NPN三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。 三极管的分类 1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。 2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。 3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。 4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。 5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。 6)按外形可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。 工作原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射