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一、名词解释（每小题5分，共30分） 1．湿氧氧化 答：氧化（氧气）中携带一定量的水气，氧化特性介于干氧与湿氧之间。 2．恒定源扩散 答：在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度Ns始终保持不变。例如，基区、发 射区的预淀积，箱法扩散。 3．扩散系数 答：描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 4．外延 答：一种在单晶或多晶衬底上生长一层单晶或多晶薄膜的技术。 （在单晶或多晶衬底上，沿其原来的结晶方向，生长一层道导电类型、 电阻率、晶格结构等符合要求的新单晶的过程。） 5．分辨率 答：光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸，用来表征光刻的精度。 6．速度附面层 答:外延生长时，流体速度分布收到扰动的区域，也称滞留层。其厚度定义 为，在该处的流速是自由流体流速的99%。 二、简述问答题（每小题10分，共40分） 1.简述提高β的工艺途径 答：1）：减小基区宽度，因为β与基取宽度成反比。 2）：减小Rse/Rsb值，即发射区与基区掺杂浓度的比值要尽量大，这样可 提高发射极的注入效率。 3）：减少复合，即要求载流子寿命大。可通过低温扩散、表面钝化等工 艺来实现。 2.微电子器件对接触和互连有什么要求？获得良好欧姆接触的方法有哪几 种？ 答：对接触和互连有的基本要求有： 1）能形成良好的欧姆接触；2）互连材料具有低的电阻率和良好的稳定 性；3）可被精细刻蚀；4）易淀积成膜；5）粘附性好；6）强的抗电迁移能力；7)便于键合。 获得良好欧姆接触的方法有： 1）高掺杂欧姆接触；2）低势垒欧姆接触；3）高复合欧姆接触。 3.X光衍射晶体定向的基本原理是什么？ 答：1）入射角λ应满足：nλ=2dsinθ； 2）晶面密勒指数（hkl）应满足：h2+k2+l2=4n-1(n为奇数)，以及 h2+k2+l2=4n(n为偶数)。 4.简述电子束曝光的特点 答：1）优点：分辨率比关学曝光高；无需光刻板；曝光自动化，加工精度 高；在真空中进行；可直接观察曝光的质量。 2)缺点：设备复杂，成本高；产量低；存在邻近效应。