太阳能光伏电池及其应用案例.ppt

引言 CuInSe2(CIS: copper insdium di-selenide) CIS的禁带宽度为1.0eV，是与太阳能电池最适宜的禁带宽度(1.4eV)偏小的值，因此，为了制约CIS的禁带宽度，添加了Ca的Cu(InGa)Sn2（省略为CIGS)系，得到了迅速地开发，其结果是目前小面积电池片的转换效率为19.2%，是所有薄膜材料中最高的转换效率。 CIGS系半导体的特点 (1)光吸收系数(absorption coefficient)极大。在可视光区域中，吸收系数可高达10-5/cm，厚度为lμm就有可能充分地吸收太阳光。 (2)与结晶Si不同，多晶粒界没有少数载流子的拦截，因此可以期待粒径为lμm大小的CIGS也有高的效率。 (3)以CIGS为代表的除黄铜矿系之外还有AI系、S系等，种类丰富，能带工程的自由度也很高。 禁带宽度控制 由图6.2可知，在这些混合结晶系中，图中被涂暗了的部分是有可能进行禁带宽度控制的范围。目前，作为光吸收层而广泛使用的有Cu，In、Ga，Se组成的系，今后由于串联化而使转换效率飞速提高。宽能带顶部电池片材料的开发是必要的，为此Al系或s系等都等待进行开发。串联化需要1.7eV左右的顶部电池片材料。表6.1为了便于参考，将Ag系也列在了其中，以低成本制造为目标的太阳能电池材料，还没有引起入们的关注。 多样的结晶相和固有缺陷 CIGS系太阳能电池的特点是多样的结晶相和固有缺陷(native defect)。在CuInSe2中，具有非常复杂的Cu2Se-In2Se3拟二元相图，在Cu/In=0.77~1的范围中，具有固定的溶解范围。与此相比在其他领域中，金属的Cu2-xSe相混合存在，对太阳能电池的特性有很大的影响。 另外，Cu/In比变低时，会出现CuIn3Se5相。结晶学上的纯粹的相只有在Cu/In=0.92~0.96这样一个非常窄的范围内才能得到。因此，想得到高效率电池片，必须对Cu/In比进行精确控制。 在一般的半导体中，通过不纯物添加，进行p型、n型的控制，CIS系用Cu/In比进行控制，也就是固有缺陷控制，才有可能控制pn。在CIS中，多数存在着空穴及反向轨道等固有缺陷。Zunger等人详细地研究了这些缺陷的缺陷能级，其中重要的固有缺陷都具有浅能级 。 CIGS系太阳能电池的基本结构 图6.3是具有代表性的CIGS薄膜太阳能电池的结构示意图。一般来讲，在基片上使用青板玻璃（soda lime glass)。这是因为CIS的线性热膨胀系数在与c轴平行的方向上为8.6×10-6K-1，与C轴垂直的方向为11.4×10-6K-1，与青板玻璃的线性热膨胀系数几乎是相等的。如果用了热膨胀系数相差大的基片材料，就会产生剥离。 使用不含Na 的基片时，必须要用多种Na化合物进行Na的添加。 CIGS光吸收层内的组成有向深度方向自然倾斜的分布，这个组成分布，是由于在制膜过程中，Ga和In的振动幅度不同而引起的。一般来讲，在膜内由于Ga的振动不好，才得到了自然的倾斜组成。图6.4是用蒸镀法制作的CIGS层的禁带宽度分布图，此分级禁带宽度结构（graded bandgap)是从Ga 的组成分布产生的。 在CIGS光吸收层上，用溶液成长法（solution growth)可以严生CdS（厚度约为70nm）。CdS的溶液生长，是将镉盐/CS(NH2)2/NH3的水溶液，在60~80℃的低温下形成的。 CdS的作用 ：CIGS的光吸收层的表面由于残留有Cu2Se等金属相，因此对于CdS高电阻层产生的分路的降低是必要的；由氨的蚀刻效果产生的表面氧化层以及Cu2Se是否有除去作用。  另一方面，最近研究表明，CdS最重要的效果是在于pn内部结的形成。到目前为止，认为CIGS太阳能电池的结界面就是CdS/CIGS界面，从结附近的详细不纯物分析来看，CdS的溶液生长时，Cd在CIGS 内扩散，界面附近的p型CIGS被n型化，也就是说，这一结果表明结已进入了内部形成了内部结。 可以认为，在机械的CdS/CIGS界面上存在着许多的缺陷，通过Cd在内部的扩散，会自然地形成整齐的结。以此为契机，可以在重新认识CdS界面层作用的基础上，再次开始了没有CdS的CIGS太阳能电池的开发。 ZnO是用喷雾法或者MOCVD(有机金属气相生长)法形成的。特别是在用对异丙基苯亚铅和水为原料的MOCVD法中，在130℃的基片温度下，有可能形成具有凹凸结构的ZnO。凹凸结构对于减少表面的反射率是有效的，且可在抑制表面反射时在其上面形成MgF2。 组成比和电池片特性 图6.5和图6.6表示的是具有代表性的CIGS电池片的电流