3、加偏置的方法 此时: 具体计算如下: 设外加电压为一正弦信号,两个偏振分量的相为差为: 则有: 例2:KDP横向效应+线偏器 d 表示晶体在外加电场V 方向上的厚度。上式表明 而在纵向振幅调制情形中φ 与 L无关。 横向振幅调制中光入射表面与电极所在表面是分开的,不象纵向调制中电极的存在对入射光的输入有影响。由此看来在进行振幅调制时采用横向调制比纵向调制更为合理。 两个分量之间的相位差为: 四、电光相位调制 入射光束的偏振方向原先就是沿着感生双折射主轴之一 x′轴的方向, y′轴上的分量为 0,因而外加电压并不改变输入光的偏振态,而只是通过改变 来改变出射光的相位,在晶体的输出面处相移为: ——利用纵向电光调制 设外加电压按下述方式调制: 在晶体的出射面处光场的电矢量表示为 输出光场为: m称为相位调制指数,也叫调制深度 利用贝塞耳恒等式,有: 由于相位调制,使光频由单一频率 变为包含多种频率的非单色光, 各个频率成分的振幅由贝塞耳函数决定,适当选择m值,可得到不同 频率成分的分布;反之,若测出各个频率成分的振幅大小,可求得m, 进而求得电光系数 五、二次电光效应(克尔电光效应) 在具有中心对称的晶体中不存在线性电光效应,所以二次电光效应通常针对有对称中心的晶体及气体和液体。 其中 未加电场时其折射率椭球方程为: 设外加电场的方向沿着z轴,
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