第一章能带理论-2素材.ppt

0.40 0.44 0.48 2 4 6 8 10 12 晶格常数 a(nm) 能量 E(eV) X1c L1c ?15c ?1c 压力显 著改变 能带结 构 ?－SiC 的能隙与晶格常数 a 的关系 GaN, AlN 的晶格结构和能带 III族氮化物： GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN等 禁带宽度范围： 红、黄、绿、蓝和紫外光 晶格结构： 闪锌矿和纤锌矿 GaN晶体的能带特点 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对纤锌矿和闪锌矿结构 AlN晶体的能带特点 对纤锌矿结构 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对闪锌矿结构 间接带隙 ?导带极小值在 X 点，价带极大值在 ? 点 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k)。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 ●有效质量的概念及物理意义。 概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 ●两种载流子的比较 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 ●直接带隙半导体和间接带隙半导体 导带 价带 硅和锗的能带结构 [0ī0] [100] [00ī] [010] [ī00] [001] 硅导带等能面示意图 极大值点 k0 在坐标轴上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面。 (1)导带 A B C D 导带最低能值 [100]方向 硅的能带结构 价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0） 存在极大值相重 合的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴，（mp*)l 。 E(k)为球形等能面 （2）价带 锗的能带结构 导带最低能值 [111]方向布里渊区边界 存在有八个这种能量最小值 E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面 价带极大值 位于布里渊区的中心（K=0） 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴。 ? 禁带宽度 Eg 随温度增加而减小 且 Si：dEg/dT=-2.8×10-4 eV/K Ge: dEg/dT=-3.9×10-4 eV/K Eg: T=0: Eg (Si) = 0.7437 eV Eg (Ge) = 1.170 eV Ge、Si能带结构的主要特征 多能谷结构： 锗、硅的导带分别存在八个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有~。 ? 间接带隙半导体： 硅和锗的导带底和价带顶在 k 空间处于不同的 k 值。 2. III－V族化合物的能带结构 GaAs的能带结构 闪锌矿结构 E GaAs Eg 0·36eV L Γ X [111] [100] 导带有三个极小值： 第一个在k=0处，为球形等 能面， 第二个在[100]方向，为 椭球等能面，能量比 k=0 处的高 0.36eV， 第三个在[111]方向，为 椭球等能面，能量比 k=0 处的高 0.29eV， 价带顶也在坐标原点，k=0，球形等能 面，也有两个价带，存在重、轻空穴。 GaAs导带的极小值点和价带的极大值点位于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体。 锑化铟的能带结构 导带极小值在 k=0处, 球形等能面, mn*=0.0135 m0 非抛物线型 价带包含三个能带：重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3（L-S耦合） 20K时 轻空穴有效质量 0.016m0 沿[111] 0.44m0 沿[110] 0.42m0 沿[100] 0.32m0 重空穴有效质量 价带顶在k=0 III-V 族能带结构的主要特征 价带极大值稍偏离布里渊区中心 导带极小值在[100]、[111]方向和布里渊 区中心，非抛物线型 ?原子序数较高的化合物，禁带宽度较窄 III－V族