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激光修调产品熔丝设计小结 摘要激光修调产品生产工艺在我国刚开始发展应用，许多设计人员对于激光修调产品的设计缺少相关经验。文章采用型号为ESI9XXX激光修调设备，通过改变对修调结果有重大影响的几个参数进行各项试验，总结出适合激光修调设备的金属熔丝参数为产品设计人员提供指引，使设计的产品适合于激光修调设备，可减少新品的调试时间，提高所设计产品的良率，有利于激光修调工艺在国内能更快的推广和应用。 关键词熔丝间距；熔丝宽度；熔丝长度；熔丝厚度；氧化层厚度 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2014）12-0050-02 由于半导体器件的发展，半导体器件集成度越来越高，传统的电修调产品工艺已经不能满足市场的需求，应市场需求而产生激光修调工艺技术，相对于传统电修调工艺，激光修调工艺的优点在于：由于在芯片表面不需要设计扎针的PAD位，则可在同样单位面积上设计更多的管芯；由于每根熔丝占用的面积很小，可设计出更多的熔丝用于调整芯片的参数，从而提高产品的精度和性能；由于利用激光修调可简化探针卡的复杂程度，可用多SITE并行测试提高测试效率；对于熔丝设计参数是否适合激光修调设备，直接关系到修调后产品成品率及修调时间的问题。所以熔丝设计参数就成为修调产品设计的重点。 1实验过程 1.1 主要的试验设备简介：ESI9XXXX激光修调机 ESI9XXX修调机由美国制造，应用于半导体晶圆修调，采用高精度磁悬浮平面马达进行XY定位，应用激光干涉技术对平台移动位置进行监控。HP unix操作系统，开放式的数据处理方式。可根据自身需求对数据进行转换。ESI9XXX主要应用于修调、电源控制芯片、存储器芯片、精确频率调整芯片、精密电阻修调、高精度运放修调等。 1.2 激光修调熔丝的原理 ESI9XXX型号的激光修调机是由一个激光发生器，产生1.32 um波长的光束，光束通过镜面的反射和透镜聚焦把激光的能量聚焦在一个点，这个点的大小就是光斑尺寸，能量在0.2uj到2.0uj范围之间，当这个能量点聚焦在熔丝上，则把熔丝气化达到调整芯片参数的目的。而把熔丝气化是否完全则跟熔丝的设计参数有着密切的关系，主要是同以下几个参数相关。 1）熔丝之间的间距（Link pitch）。 2）熔丝表面的氧化层厚度（oxide thickness）。 3）熔丝的宽度（Link width）。 4）熔丝的长度（Link length）。 5）熔丝的厚度（Link thickness）。 6）熔丝所位于的METAL层（metal layer）。 修调产品有一个要求就是必须排布L MARK图形。此图形可位于划片道里或是在芯片内部均可。其宽度在6.0~10 um之间，长度范围：2~40 um。“L”的图案要求光泽度高，平坦无杂质，棱角清晰（一般为metal层），其周边20 um*20 um范围内要求平坦无杂质，且与“L”黑白分明。 图1参数定义 1.3 设计晶圆工艺布版 圆片每个BLOCK有27列FUSE排布，分别标示从fuse0到fuse26，每列有16个PAD位，分别从上到下定义为PAD1到PAD16，27列FUSE用9种不同的工艺制成。分别命名为A，B，C……I。相关的分布如表1。 每种不同工艺的熔丝设计不同的参数：宽度变化、长度变化、间距变化、氧化层厚度变化（1000A、3500A、6000A、-6000A），参数实验的熔丝厚度统一采用5000A。 1.4 采用的修调方案 1）Fuse（0~9）修调第3根，测试第3根是否修断。 2）Fuse （15，17，19）修调第2、4 Fuse，测试第2和第4根是否有修断，测试第3根是否导通以此来判断修调第2和第4根是否有对第3根Fuse有影响。 3）Fuse（16，18，20）修调第3根，测试第3根是否有修断测试第2和第4是否导通以此来判断修调第3根是否有对第2、4根Fuse有影响。 4）Fuse （21~26）修调1，3，5测试第3根是否有修断测试第2和第4是否导通以此来判断修调1、3、5是否有对 第2、4根Fuse有影响。 图2熔丝排列顺序 2结果与分析 1）对不同间距的熔丝进行修调，目的是验证修调的效果及修调后对相邻的熔丝的影响。相关的数据如表2。 表2不同间距的熔丝修调后的测量数据 从以上数据可知Pitch 4~8 um 间距的Fuse，用0.9uj能量3.0 um光斑修条后测量相邻的熔丝，相邻熔丝阻值与修调前一致不受修调影响；各熔丝的修调后的阻值均大于20M ohm；在pitch为4 um间距的熔丝外观有少许的破坏，如图3。所以建议间距设为6 um。 图3相邻熔丝受影响 2）对表面氧化层厚度不同的熔丝进行修调，目的是验证熔丝表面氧化层厚度不同对修调效果的影响。相关的数据如表3。 表3氧化层厚度不同对熔